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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Ausfluss | Temperaturkoeffizient | Ausfallrate | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Kraft (Watt) | ANZAHL DER Terinen | Ausfluss (Ohm) | Zusackensetzung | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 766161331GPTR13 | 1.1757 |  | 9141 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 330 | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | ||||||||
 | S42C083180GP | 0,0813 | | 9188 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083180GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 18 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
 | 73WL4R360F | 0,0333 | | 1859 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73Wlx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Breit 1206 (3216 Metrik), 0612 | Aktueller Sinn | 360 Mohm | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 5.000 | 0,75 W, 3/4W | 2 | Dicker Film | |||||||||||
 | 767163223GP | 1.2132 | | 1778 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-163-R22KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 22k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | |||||||
 | S42C163131GP | 0,1813 | | 1537 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163131GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 130 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
 | 766143102GPTR13 | 1.1757 | | 2076 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 1k | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | ||||||||
 | S41C083822GP | 0,0560 | | 1594 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083822GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 8.2k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
| 766141563GPTR7 | 1.2910 | | 3118 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 56k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | ||||||||
| 766161511GPTR13 | 1.1757 | | 5400 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 510 | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | ||||||||
 | 73E3R062F | 0,1056 | | 7678 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73ex | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,079 "LX 0,049" W (2,00 mm x 1,25 mm) | 0,026 "(0,65 mm) | 0805 (Metrik 2012) | Aktueller Sinn | 62 Mohm | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 5.000 | 0,25 W, 1/4W | 2 | Dicker Film | |||||||||||
 | RT1432B6TR13 | - - - | | 1985 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM | 0,450 "LX 0,150" W (11,43 mm x 3,81 mm) | 0,058 "(1,47 mm) | Oberflächenhalterung | 27-lbga | ± 200 ppm/° C. C. | 27-bga (9x3) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 120 | Doppelterminator | 18 | - - - | - - - | 27 | 50 MW | |||||||||
| S42C163330GP | 0,1813 | | 1974 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163330GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 33 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
 | S42C043151JP | 0,0508 | | 1184 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043151JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 150 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S41C083124JP | 0,0481 | | 2527 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083124JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 120k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
| 752123101gptr13 | 1.2510 | | 4053 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 12-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 100 | Isolier | 6 | - - - | - - - | 12 | 160 MW | ||||||||
| S41C083182GP | 0,0560 | | 2307 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083182GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1,8K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
| RT234B7TR13 | - - - | | 5049 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||
 | S41X043110FP | 0,0283 | | 3882 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043110FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 11 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S41C083220JP | 0,0481 | | 3416 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083220JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
| S42C083223GP | 0,0813 | | 4016 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083223GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 22k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
| 767163103JP | - - - | | 3033 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Rohr | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-767163103JP | Ear99 | 8533.21.0020 | 43 | ||||||||||||||||||||||||
| 752091821JP | - - - | | 4794 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-752091821JP | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | ||||||||||||||||||||||||
| 753201103gptr13 | 1.8138 | | 5721 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,295 "LX 0,080" W (7,49 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 20-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 10k | Busse | 18 | - - - | - - - | 20 | 40 MW | ||||||||
 | 73L6R27f | 0,1461 | | 1340 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73lx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,197 "LX 0,098" W (5,00 mm x 2,50 mm) | 0,028 "(0,71 mm) | 2010 (5025 Metrik) | Aktueller Sinn | 270 Mohm | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | 2010 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 4.000 | 0,75 W, 3/4W | 2 | Dicker Film | |||||||||||
| 766143330GPTR7 | 1.2910 | | 1344 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 33 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | ||||||||
| S41X043120FP | 0,0283 | | 5312 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043120FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 12 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S41X043753JP | 0,0198 | | 4099 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043753JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 75k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S41X043154GP | 0,0240 | | 5836 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043154GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 150k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| 766163272GPTR7 | 1.2910 | | 4740 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 2,7K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||||||||
 | 768141183GP | 1.2132 | | 4422 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 18k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW |
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