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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Grundproduktnummer | Ausfluss | Temperaturkoeffizient | Ausfallrate | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Kraft (Watt) | ANZAHL DER Terinen | Ausfluss (Ohm) | Zusackensetzung | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 77081331p | 0,6179 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-81-R330p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 330 | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||||||||
![]() | S42C043105JP | 0,0508 | ![]() | 1181 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043105JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1m | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42X083330JP | 0,0412 | ![]() | 8246 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083330JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 33 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S41C083623GP | 0,0560 | ![]() | 7190 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083623GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 62k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||||||||
![]() | S41X043560GP | 0,0240 | ![]() | 8461 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043560GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 56 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | S41X083621GP | 0,0269 | ![]() | 7496 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083621GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 620 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||||||||
![]() | 767163510gp | 1.2132 | ![]() | 1809 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-163-R51p | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 51 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | ||||||||
![]() | 73L6R11J | 0,0805 | ![]() | 6165 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73lx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,197 "LX 0,098" W (5,00 mm x 2,50 mm) | 0,028 "(0,71 mm) | 2010 (5025 Metrik) | Aktueller Sinn | 110 Mohm | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | 2010 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 4.000 | 0,75 W, 3/4W | 2 | Dicker Film | ||||||||||||
![]() | S41X083111JP | 0,0226 | ![]() | 1566 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083111JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 110 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||||||||
![]() | S42C083912FP | 0,0914 | ![]() | 1743 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083912FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 9.1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42C083300GP | 0,0813 | ![]() | 4504 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083300GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 30 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42C083332GP | 0,0813 | ![]() | 9877 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083332GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3.3k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | 768161684GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 7812 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 680k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||||||||
![]() | S41X083364GP | 0,0269 | ![]() | 9683 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083364GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 360k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||||||||
![]() | 752091222GP | 1.5389 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-752091222GP | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 2,2K | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 80 MW | ||||||||
![]() | S40X043822JP | 0,0901 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043822JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 8.2k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||||||||
![]() | S42X083824FP | 0,0560 | ![]() | 5530 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083824FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 820K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42X083683FP | 0,0560 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083683FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 68k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S41C083330FP | 0,0653 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083330fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 33 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||||||||
![]() | 77061470p | 0,6488 | ![]() | 8168 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-61-R47P | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 47 | Busse | 5 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||||||||
![]() | S42C163181GP | 0,1813 | ![]() | 1634 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163181GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 180 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42C043510FP | 0,0693 | ![]() | 7555 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043510fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 51 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
746x101473jp | 0,2500 | ![]() | 172 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 746 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | 746x101 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 47k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 31 MW | |||||||||
![]() | 768141684GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 6534 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 680k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||||||||
![]() | 768201332JPTR13 | - - - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-768201332JPTR13TR | Ear99 | 8533.21.0020 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S42C043511FP | 0,0693 | ![]() | 1226 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043511fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 510 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | S41X043111JP | 0,0198 | ![]() | 3794 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043111JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 110 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | S40X043752JP | 0,0901 | ![]() | 1649 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043752JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 7,5K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||||||||
![]() | S41X08332GP | 0,0269 | ![]() | 2576 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083332GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 3.3k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||||||||
752181563GPTR13 | 1.3150 | ![]() | 3500 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 18-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 56k | Busse | 16 | - - - | - - - | 18 | 80 MW |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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