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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 768141222JP | - - - |  | 1138 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 2,2K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
 | S41C083180GP | 0,0560 | | 1258 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083180GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 18 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | 766161822jptr7 | - - - | | 7566 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-766161822jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 800 | |||||||||||||||||||
 | S40X043334JP | 0,0901 | | 6895 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043334JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 330k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||
 | 77063394 | - - - | | 7883 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 390k | Isolier | 3 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | |||
 | 745C102223JP | 0,1408 | | 3248 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,122" W (6,40 mm x 3,10 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C102 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 22k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | 766141822g | - - - | | 6440 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 56 | 8.2k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
| 766141183GPTR7 | 1.2910 | | 8187 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 18k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
| S41C083120GP | 0,0560 | | 5422 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083120GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 12 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | S42C083220FP | 0,0914 | | 5234 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083220FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 768163223GP | 1.2132 | | 3924 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 22k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | |||
| RT139B6TR13 | - - - | | 3948 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | S42C043303JP | 0,0508 | | 4448 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043303JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 30k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 752083103gp | 1.4693 | | 8191 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 8-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-752083103gp | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 10k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 160 MW | ||
| 767161272JPTR13 | - - - | | 4812 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-767161272jptr13tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 2.000 | |||||||||||||||||||
| S41X083274JP | 0,0226 | | 2150 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083274JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 270k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
| 742C083820JTR | - - - | | 1891 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 82 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| 745C1011002FP | 0,4412 | | 9250 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,122" W (6,40 mm x 3,10 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 10k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | 767141821gptr13 | 1.1757 | | 7272 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 820 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
| S42C043220GP | 0,0600 | | 6857 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043220GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 22 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| 752241472GPTR13 | 1.3713 | | 4434 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 24-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 4,7K | Busse | 22 | - - - | - - - | 24 | 80 MW | |||
| S42C083430FP | 0,0914 | | 1203 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083430fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 43 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S42C163911JP | 0,1518 | | 3933 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163911JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 910 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 744C083331JP | - - - | | 7521 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,126" W (5,08 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2012, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 744C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 330 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 125 MW | ||
| 752163153jptr7 | - - - | | 6132 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-752163153jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | |||||||||||||||||||
| S42C043244JP | 0,0508 | | 2927 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043244JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 240k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 752091821jptr7 | - - - | | 6539 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 820 | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 80 MW | |||
 | S42X083134FP | 0,0560 | | 3365 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083134FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 130k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S41C083112GP | 0,0560 | | 5380 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083112GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1.1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | 766163183GPTR7 | 1.2910 | | 7213 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 18k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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