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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Ausfluss | Temperaturkoeffizient | Ausfallrate | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Kraft (Watt) | ANZAHL DER Terinen | Ausfluss (Ohm) | Zusackensetzung | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RT1450B6TR13 | - - - |  | 4279 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | GTL, GTL+, AGTL+ | 0,150 "LX 0,150" W (3,81 mm x 3,81 mm) | 0,058 "(1,47 mm) | Oberflächenhalterung | 9-lbga | ± 100 ppm/° C. C. | 9-bga (3,81 x 3,81) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 25 | Doppelterminator | 8 | - - - | - - - | 9 | 50 MW | |||||||||
 | S41X083820JP | 0,0226 | | 3559 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083820JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 82 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
| S41C083624GP | 0,0560 | | 9337 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083624GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 620K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
 | 767143470GP | 1.1988 | | 8347 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-143-R47P | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 47 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | |||||||
| S41C083220GP | 0,0560 | | 4695 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083220GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
 | S42C083682FP | 0,0914 | | 2650 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083682FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 6,8K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
| 767143101gp | 1.1988 | | 3953 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-143-R100P | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 100 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | |||||||
| S41C083513GP | 0,0560 | | 2828 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083513GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 51k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
 | 767161270GPTR13 | 1.1899 | | 5224 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 27 | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | ||||||||
| S41X083394GP | 0,0269 | | 6800 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083394GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 390k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
 | 77063510p | 0,6179 | | 7646 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-63-R51p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 51 | Isolier | 3 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | |||||||
 | S42C163204JP | 0,1518 | | 1742 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163204JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 200k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
 | S41X043164JP | 0,0198 | | 5865 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043164JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 160k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S42C083103JP | 0,0680 | | 4474 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083103JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 10k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
 | 768163204GPTR13 | 1.1899 | | 4294 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 200k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | ||||||||
 | 752181562GP | 1.6934 | | 4143 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 18-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 5.6k | Busse | 16 | - - - | - - - | 18 | 80 MW | ||||||||
| 767141102GP | 2.6000 | | 388 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-141-R1KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 1k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||||||
 | 73WL6R240f | 0,1651 | | 9646 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73Wlx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,098 "LX 0,197" W (2,50 mm x 5,00 mm) | 0,028 "(0,71 mm) | Breit 2010 (5025 Metrik), 1020 | Aktueller Sinn | 240 Mohm | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | 2010 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 4.000 | 1W | 2 | Dicker Film | |||||||||||
| S42C083131GP | 0,0813 | | 5363 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083131GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 130 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
| S41X043471FP | 0,0283 | | 2135 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043471FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 470 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| 73m3BR051f | 1.9175 | | 5584 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73m3b | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,264 "L x 0,283" W (6,70 mm x 7,20 mm) | 0,051 "(1,30 mm) | Nicht Standardmäßig | Aktueller Sinn | 51 MOHMS | ± 50 ppm/° C C. | - - - | 2726 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 1.000 | 3W | 2 | Metallfilm | |||||||||||
| S41X043331FP | 0,0283 | | 3196 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043331FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 330 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
 | 743C083681jtr | - - - | | 3517 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,079" W (5,08 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 680 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||||||||
 | 752181104gptr7 | 1.6934 | | 2348 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 18-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100k | Busse | 16 | - - - | - - - | 18 | 80 MW | ||||||||
| S42C163124JP | 0,1518 | | 7990 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163124JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 120k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
 | S42C043133GP | 0,0600 | | 1511 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043133GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 13k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
| S42C163273GP | 0,1813 | | 2511 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163273GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 27k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
| S41X083360FP | 0,0311 | | 4219 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083360FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 36 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
 | 766163682GPTR7 | 1.2910 | | 4367 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 6,8K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||||||||
| S41C083161GP | 0,0560 | | 2448 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083161GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 160 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW |
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