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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S41X083913GP | 0,0269 |  | 4888 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083913GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 91k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
 | S42C043112FP | 0,0693 | | 2368 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043112FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1.1k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S41C083470FP | 0,0653 | | 9760 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083470FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 47 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |
| S42C043512JP | 0,0508 | | 4815 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043512JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 5.1k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | S42X083433JP | 0,0412 | | 4307 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083433JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 43k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
 | S40X043913JP | 0,0901 | | 6837 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043913JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 91k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |
| S40X043222JP | 0,0901 | | 8888 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043222JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 2,2K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |
 | S42C083112GP | 0,0813 | | 1766 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083112GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1.1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
| S41C083330GP | 0,0560 | | 9841 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083330GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 33 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |
| S41X043333JP | 0,0198 | | 9790 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043333JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 33k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42X083270GP | 0,0495 | | 8798 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083270GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 27 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
| S40X043391JP | 0,0901 | | 6336 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043391JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 390 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |
| S42C043914FP | 0,0693 | | 5132 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043914FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 910k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S41X043394FP | 0,0283 | | 5293 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043394FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 390k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42C083113JP | 0,0680 | | 9441 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083113jptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 11k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
| S42C043153FP | 0,0693 | | 9206 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043153FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 15k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42C043622GP | 0,0600 | | 3201 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043622GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 6.2k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | 77081273p | 0,6179 | | 1941 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-81-R27KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 27k | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |
 | 753243510gptr13 | 2.0800 | | 2935 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,345 "LX 0,080" W (8,76 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 24-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 51 | Isolier | 12 | - - - | - - - | 24 | 80 MW | ||
| S41C083473JP | 0,0481 | | 9571 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083473JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 47k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |
| S41X083153FP | 0,0311 | | 7138 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083153FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 15k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
 | 766163104gptr13 | 1.1757 | | 8881 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 100k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||
| S41X043434FP | 0,0283 | | 7098 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043434FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 430k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42C043122JP | 0,0508 | | 2782 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043122JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,2K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42C043124FP | 0,0693 | | 3487 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043124FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 120k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S41X083273JP | 0,0226 | | 8623 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083273JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 27k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
| 766163822GP | 1.2910 | | 5880 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 766-163-R8.2KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 8.2k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | |
 | 766141101gptr13 | 1.1757 | | 8423 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 100 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | ||
| S42C083183FP | 0,0914 | | 3565 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083183FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 18k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
| 766141152GPTR7 | 1.2910 | | 9986 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 1,5K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW |
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