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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RT1407B6PTR7 | - - - |  | 9990 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM | 0,450 "LX 0,150" W (11,43 mm x 3,81 mm) | 0,058 "(1,47 mm) | Oberflächenhalterung | 27-lbga | ± 200 ppm/° C. C. | 27-BGA (11,43 x 3,81) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 35 | Doppelterminator | 18 | - - - | - - - | 27 | 50 MW | |||
 | 766141682GPTR7 | 1.2910 | | 9621 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 6,8K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
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 | 77061562p | 0,6488 | | 2382 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-61-R5.6KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 5.6k | Busse | 5 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||
 | S42X083104GP | 0,0495 | | 5221 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083104GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 100k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S42C083433FP | 0,0914 | | 7015 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083433fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 43k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 768143221g | - - - | | 6336 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-143-R220 | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 220 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | ||
| 766143821GPTR13 | 1.1757 | | 8683 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 820 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | |||
 | 753181104gtr | - - - | | 3806 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,270 "L x 0,080" W (6,86 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 18-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q1378395 | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100k | Busse | 16 | - - - | - - - | 18 | 40 MW | ||
 | 770101103 | - - - | | 4740 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 1.000 "l x 0,098" W (25,40 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 10-SIP | ± 100 ppm/° C. C. | 10-SIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 10k | Busse | 9 | - - - | - - - | 10 | 100 MW | |||
| 766141472GPTR7 | 1.2910 | | 8219 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 4,7K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
 | 768141683g | - - - | | 7206 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-141-R68K | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 68k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | ||
 | S42C163473JP | 0,1518 | | 4554 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163473JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 47k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 766161183GPTR13 | 1.1757 | | 5359 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 18k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
 | 768141391GPTR13 | 1.1899 | | 8005 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 390 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
| 742C0833301FP | 0,0487 | | 2404 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3.3k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 745C101472JP | 0,5800 | | 206 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 4,7K | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | 767161392GPTR13 | 1.1899 | | 7081 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 3,9K | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
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| S42C083562GP | 0,0813 | | 4734 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083562GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 5.6k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
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| S42X083242FP | 0,0560 | | 9488 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083242FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 2,4K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| 768161102GPTR13 | 1.1899 | | 8870 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 1k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
| 766163270g | - - - | | 8567 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 27 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | |||
| S42C083472JP | 0,0680 | | 1482 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083472JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 4,7K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| 768163184GPTR13 | 1.1899 | | 3720 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 180k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | |||
 | 752081472GPTR13 | 1.2166 | | 7187 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 8-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 4,7K | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 80 MW | |||
| 768161474g | - - - | | 4082 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-161-R470K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 470k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | ||
 | S42C043221GP | 0,0600 | | 4876 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043221GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 220 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C163153GP | 0,1813 | | 5766 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163153GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 15k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW |
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