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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 766141151GPTR13 | 1.1757 |  | 1496 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 150 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
 | 741x16310r0fp | 0,1102 | | 9795 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,156 "LX 0,063" W (3,95 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1506, Konvexe, Lange Nebenzeitpunkte | 741x163 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 10 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 767141201g | - - - | | 9152 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 200 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
 | 743C043470JP | - - - | | 3273 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,100 "LX 0,079" W (2,54 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 47 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 100 MW | |||
 | 77081820p | 0,6179 | | 5220 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-81-R82p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 82 | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
 | 768163273g | - - - | | 5145 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-163-R27K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 27k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | ||
| 766141272GPTR7 | 1.2910 | | 8818 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 2,7K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
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| 741x163101jp | 0,4000 | | 76 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,156 "LX 0,063" W (3,95 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1506, Konvexe, Lange Nebenzeitpunkte | 741x163 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 100 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 744C083124jtr | - - - | | 9391 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,126" W (5,08 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2012, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 744C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 120k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 125 MW | ||
| 742C043333JP | 0,0202 | | 7591 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | 742C043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742C043333JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 33k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| 767143332GPTR13 | 1.1757 | | 6149 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 3.3k | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | |||
 | 752083471GP | 1.4693 | | 2860 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 8-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 470 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 160 MW | |||
 | 766163181g | - - - | | 4018 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 180 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | |||
 | RT1432B6 | - - - | | 6087 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Schüttgut | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM | 0,450 "LX 0,150" W (11,43 mm x 3,81 mm) | 0,058 "(1,47 mm) | Oberflächenhalterung | 27-lbga | ± 200 ppm/° C. C. | 27-BGA (11,43 x 3,81) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 120 | Doppelterminator | 18 | - - - | - - - | 27 | 50 MW | ||||
| 768161334g | - - - | | 6774 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-161-R330K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 330k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | ||
| 77081151 | - - - | | 5864 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 150 | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |||
 | 752241104gtr7 | - - - | | 4962 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 24-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100k | Busse | 22 | - - - | - - - | 24 | 80 MW | |||
 | 752181222GP | 1.6934 | | 7071 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 18-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 2,2K | Busse | 16 | - - - | - - - | 18 | 80 MW | |||
 | 743C0833302FP | - - - | | 4304 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,079" W (5,08 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 33k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |||
| 752081104gptr7 | 1.5389 | | 7225 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 8-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100k | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 80 MW | |||
| 741x163104jp | 0,0655 | | 5427 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,156 "LX 0,063" W (3,95 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1506, Konvexe, Lange Nebenzeitpunkte | 741x163 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 100k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | S41X043201JP | 0,0198 | | 2669 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043201JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 200 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 770101393p | 0,6762 | | 2835 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 1.000 "l x 0,098" W (25,40 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 10-SIP | ± 100 ppm/° C. C. | 10-SIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-101-R39KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 39k | Busse | 9 | - - - | - - - | 10 | 100 MW | ||
 | S42C083154FP | 0,0914 | | 2683 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083154FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 150k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 768141201GP | 1.2132 | | 2051 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 200 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
| S42C043914GP | 0,0600 | | 6644 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043914GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 910k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C083564FP | 0,0914 | | 9625 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083564FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 560k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S42C043162GP | 0,0600 | | 8611 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043162GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,6K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 742C1631003FP | 0,3028 | | 1940 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C163 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 100k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW |
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