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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 746x101152jp | 0,3900 |  | 9 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 746 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | 746x101 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,5K | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 31 MW | ||
 | 767141390GP | 1.1988 | | 1830 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-141-R39P | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 39 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | ||
 | 745C101334JP | 0,1408 | | 9875 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 330k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | S42C163104GP | 0,1813 | | 7621 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163104GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 100k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 753241472GPTR7 | 2.3505 | | 1698 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,345 "LX 0,080" W (8,76 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 24-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 4,7K | Busse | 22 | - - - | - - - | 24 | 40 MW | |||
 | 77061181p | 0,5700 | | 30 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-61-R180p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 180 | Busse | 5 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||
| RT1201B | - - - | | 5868 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Schüttgut | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Kompakt PCI® | 0,630 "LX 0,157" W (16,00 mm x 4,00 mm) | 0,053 "(1,34 mm) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | ± 200 ppm/° C. C. | 64-bga (16x4) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 10 | Doppelterminator | 32 | - - - | - - - | 64 | 50 MW | ||||
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 | 752103101gp | 1.4693 | | 2157 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,565 "LX 0,080" W (14,35 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 10-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 100 | Isolier | 5 | - - - | - - - | 10 | 160 MW | |||
 | 741x043271JP | 0,0123 | | 2443 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | 741x043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 270 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | S41X083473GP | 0,0269 | | 3281 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083473GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 47k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | S42C083104FP | 0,0914 | | 8640 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083104FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 100k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S41C083104GP | 0,0560 | | 5817 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083104GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 100k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | S42C043360JP | 0,0508 | | 7056 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043360JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 36 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S41C083274JP | 0,0481 | | 9626 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083274JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 270k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | 77083105p | 0,7000 | | 8 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-83-R1megp | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 1m | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
| S42C043271JP | 0,0508 | | 2233 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043271JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 270 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
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| S42C163184GP | 0,1813 | | 9085 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163184GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 180k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| 766163223GP | 2.8500 | | 1 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 766-163-R22KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 22k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||
| 742C163103GP | - - - | | 5140 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 60-742C163103GP | Ear99 | 8533.21.0020 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | S42X083303JP | 0,0412 | | 4871 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083303JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 30k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S41X083181JP | 0,0226 | | 8722 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083181JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 180 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
| S42C043513JP | 0,0508 | | 6772 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043513JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 51k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| 767141153gp | 2.3600 | | 768 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-141-R15KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 15k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | ||
| S42X083244FP | 0,0560 | | 3819 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083244FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 240k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW |
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