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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S41X083220GP | 0,0269 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083220GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
![]() | S40X043512JP | 0,0901 | ![]() | 4127 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043512JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 5.1k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||
![]() | S42C043333FP | 0,0693 | ![]() | 9886 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043333fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 33k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
![]() | 768163152GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 9478 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 1,5K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | |||
![]() | 767161222GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 2,2K | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
![]() | S42C043394GP | 0,0600 | ![]() | 2870 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043394GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 390k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
![]() | S42C083390JP | 0,0680 | ![]() | 3285 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083390JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 39 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | S40X043124JP | 0,0901 | ![]() | 4781 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-s40x043124jptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 120k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||
![]() | 766141203JP | - - - | ![]() | 2816 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Rohr | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-766141203JP | Ear99 | 8533.21.0020 | 56 | |||||||||||||||||||
![]() | 77061220p | 0,6488 | ![]() | 9010 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-61-R22p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 22 | Busse | 5 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||
![]() | 77083334p | 0,6300 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-83-R330KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 330k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
![]() | S42C083334GP | 0,0813 | ![]() | 4022 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083334GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 330k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | 766163152GP | 2.6000 | ![]() | 814 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 766-163-R1.5KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 1,5K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||
745C101683JP | 0,6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 68k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | |||
![]() | S42X083363FP | 0,0560 | ![]() | 1117 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083363FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 36k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | S41X043910FP | 0,0283 | ![]() | 9677 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-s41x043910fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 91 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
![]() | 77081151p | 0,6179 | ![]() | 7785 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-81-R150p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 150 | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
![]() | S41C083560JP | 0,0481 | ![]() | 3332 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083560JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 56 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
![]() | S41C083223GP | 0,0560 | ![]() | 6427 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083223GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 22k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
![]() | 752123103gptr7 | 3.2300 | ![]() | 6700 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 12-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 10k | Isolier | 6 | - - - | - - - | 12 | 160 MW | |||
![]() | S42C083680GP | 0,0813 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083680GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 68 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | S41X043392JP | 0,0198 | ![]() | 8802 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043392JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 3,9K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
![]() | 741x083102jp | 0,1000 | ![]() | 87 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | 741x083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | S42C043203JP | 0,0508 | ![]() | 1476 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043203JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 20k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
![]() | S42C083470GP | 0,0813 | ![]() | 5228 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083470GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 47 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
![]() | S41C083124GP | 0,0560 | ![]() | 4395 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083124GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 120k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
![]() | 766161822GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 1720 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 8.2k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
744C083153JP | - - - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,126" W (5,08 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2012, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 744C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 15k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 125 MW | |||
![]() | 752161102GPTR7 | 1.6934 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 1k | Busse | 14 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
![]() | S42C043911JP | 0,0508 | ![]() | 2844 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043911JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 910 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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