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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S42X083113GP | 0,0495 |  | 9120 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083113GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 11k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
 | S42C043110GP | 0,0600 | | 3170 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043110GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 11 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | S40X043100JP | 0,0901 | | 5804 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043100JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 10 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |
 | 767161105GP | 1.2700 | | 6 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-161-R1megp | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 1m | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |
| S42C043622FP | 0,0693 | | 4032 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043622FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 6.2k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | S42C163241JP | 0,1518 | | 9203 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163241JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 240 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |
 | S41X083560JP | 0,0226 | | 3415 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083560JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 56 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
 | 752101101gptr13 | 1.2166 | | 4791 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,565 "LX 0,080" W (14,35 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 10-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 100 | Busse | 9 | - - - | - - - | 10 | 80 MW | ||
 | 768161394GP | 1.2132 | | 2501 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 390k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | ||
| S42C163622JP | 0,1518 | | 3324 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163622JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 6.2k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |
 | S42C083131FP | 0,0914 | | 3271 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083131FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 130 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
 | RT2416B7TR13 | - - - | | 5044 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | ClearOne ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | PCI, PCIX | 0,157 "L x 0,118" W (4,00 mm x 3,00 mm) | 0,053 "(1,34 mm) | Oberflächenhalterung | 12-lbga | ± 200 ppm/° C. C. | 12-bga (4x3) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 8.2k | Doppelterminator | 8 | - - - | - - - | 12 | 50 MW | ||
 | 766161391GPTR13 | 1.1757 | | 3215 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 390 | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | ||
| S41X043153JP | 0,0198 | | 8722 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043153JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 15k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | 77083153p | 0,6300 | | 6671 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-83-R15KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 15k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |
| S41C083430FP | 0,0653 | | 9478 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083430fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 43 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |
| S42C043562FP | 0,0693 | | 2756 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043562FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 5.6k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S40X043203JP | 0,0901 | | 3527 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043203JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 20k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |
 | 768143121GPTR13 | 1.1899 | | 7849 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 120 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | ||
| S42C083202FP | 0,0914 | | 2642 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083202FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 2k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
| S41X043911FP | 0,0283 | | 5652 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-s41x043911fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 910 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S42C043152GP | 0,0600 | | 5371 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043152GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,5K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
 | 770103472p | 0,6528 | | 9583 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 1.000 "l x 0,098" W (25,40 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 10-SIP | ± 100 ppm/° C. C. | 10-SIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-103-R4.7KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 4,7K | Isolier | 5 | - - - | - - - | 10 | 100 MW | |
| S42C083751FP | 0,0914 | | 2500 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083751fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 750 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |
 | 767141562GP | 1.1988 | | 4963 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-141-R5.6KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 5.6k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |
| S41X083132JP | 0,0226 | | 6348 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083132JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1,3K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
| S41X043242GP | 0,0240 | | 5331 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043242GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 2,4K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |
| S41X083202GP | 0,0269 | | 6360 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083202GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 2k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |
| S42C163122GP | 0,1813 | | 8243 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163122GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 1,2K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |
| S42X083393FP | 0,0560 | | 9604 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083393FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 39k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW |
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