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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Kanaltyp | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Isolierte Kraft | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HMA121 | - - - |  | 2224 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
 | 6N136SM | 1.7800 | | 2581 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N136 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | 4n25tm | - - - | | 2977 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N25TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||||||||||
 | CNY17F2SM | 0,6200 | | 955 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17F2 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| CNY173s | - - - | | 8325 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||||
 | FOD0708R1 | - - - | | 6762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD070 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 2 Ma | 15mb | 12ns, 8ns | 1,45 v | 20 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||||||||||||
| MCT2202s | - - - | | 2197 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2202S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| MOC212R2VM | - - - | | 3532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
| 74ol6000s | - - - | | 9706 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic ™ | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 74ol600 | Logik | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 ma | 15mb | 45ns, 5ns | - - - | - - - | 5300 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||||||||||||||||||
| MOC3051TM | - - - | | 6841 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3051TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| MOC223R1VM | - - - | | 4135 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC223 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 3,5 µs, 95 µs | 1V | ||||||||||||||||||||||||
 | NCIV9200 | 5.8900 | | 3380 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | I²c, spi | Kapazitive Koppung | 2 | 2,5 V ~ 5,5 V | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCIV9200 | 1.000 | 20 mbit / s | Unidirektional | 2,7ns, 2,3ns | 5000 VRMs | Ja | 2/0 | 100 kV/µs | 140ns, 140ns | 60ns | |||||||||||||||||||||||||
| MOCD207D2M | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD207 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| 4n29tm | - - - | | 2719 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n29 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||||||||||
 | CNY173M_F132 | - - - | | 4776 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
| H11AG3W | - - - | | 8277 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AG3W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | 6N135VM | 0,7435 | | 2194 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N135 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 230ns, 450ns | - - - | |||||||||||||||||||||||
| 4N38TVM | 0,2730 | | 7135 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n38 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-4N38TVM-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 80V | 1,15 V | 80 Ma | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 1V | ||||||||||||||||||||||
| FOD2742CR2V | - - - | | 7100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | - - - | 70V | 1,2 v | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||||||
 | FOD8160 | 4.0700 | | 7760 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,362 ", 9,20 mm Breit), 5 Leads | FOD816 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 3 V ~ 5,5 V. | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 10 mbit / s | 22ns, 9ns | 1,45 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/1 | 20 kV/µs | 90ns, 80ns | |||||||||||||||||||||||
 | FODM3023 | - - - | | 8956 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 400 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| MOC8105SD | - - - | | 6389 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8105SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 65% @ 10 mA | 133% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| CNY17F2TM_F132 | - - - | | 1426 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
| CNX36U3S | - - - | | 6739 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNX36 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX36U3S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 80% @ 10ma | 200% @ 10ma | 20 µs, 20 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | Fod8333v | 9.0800 | | 4489 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | FOD8333 | Optische Kopplung | IEC/EN/DIN, UL | 1 | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 2,5a, 2,5a | 3a | 50ns, 50 ns | 1,45 v | 25 ma | 4243VRMs | 35 kV/µs | 250ns, 250ns | 100ns | 3v ~ 15 V | |||||||||||||||||||||||
| H11A23S | - - - | | 7316 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A23S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | CNW4502300 | - - - | | 4788 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNW45 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 40 | 10 ma | - - - | 20V | - - - | 100 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||
| MOC8106W | - - - | | 3959 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8106W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | 150% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| H11N2300 | - - - | | 4705 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5MHz | - - - | 1,4 v | 5ma | 7500 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||||
| H11F1SM | 4.3200 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11f | DC | 1 | Mosfet | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-H11F1SM-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | - - - | - - - | 45 µs, 45 µs (max) | - - - |
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