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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC3022 | - - - |  | 1231 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc302 | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3022QT | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5300 VRMs | 400 V | 100 µA | NEIN | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||
 | MOC81023SDL | - - - | | 7098 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | 6N139SD | - - - | | 5004 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 2500 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 1,5 µs, 7 µs | - - - | |||||||||||||||||||||
 | HMA2701B | - - - | | 9204 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD3182TSR2V | 3.2900 | | 694 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD3182 | Optische Kopplung | Ul, vde | 1 | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 700 | 2,5a, 2,5a | 3a | 38ns, 24ns | 1,43V | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 10 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
 | HMHA2801BR3V | - - - | | 5614 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||||||||
| Moc8103s | - - - | | 3980 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8103S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 108% @ 10 mA | 173% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | H11G3W | - - - | | 1064 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11G3W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | 5 µs, 100 µs | 1,2 v | ||||||||||||||||||||
| 4n28tvm | 0,3256 | | 3063 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| HMA121ER3V | - - - | | 6116 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| 4n28fr2m | - - - | | 4859 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n28fr2m-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| H11AG2SD | - - - | | 8191 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AG2SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| 4N403s | - - - | | 2084 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n40 | UR, VDE | 1 | Scr | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N403S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs | 14ma | 50 µs (max) | ||||||||||||||||||||
| H11n1fvm | - - - | | 5413 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
| 4N37300 | - - - | | 3961 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N37300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| MOC8112300W | - - - | | 1655 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc811 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8112300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,15 V | 90 Ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| HMHA2801R2V | 0,7800 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA2801 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||||||
| MCT5200 | - - - | | 6837 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1,3 µs, 16 µs | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 75% @ 10 mA | - - - | 1,6 µs, 18 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| 4n37 | - - - | | 3154 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| H11AV2FM | - - - | | 2222 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AV2FM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | 15 µs, 15 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MCT2FR2M | - - - | | 6804 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2FR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | CNX35U300 | - - - | | 4996 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNX35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX35U300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 160% @ 10 mA | 20 µs, 20 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| 4n37fvm | - - - | | 3378 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n37fvm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | MOC212VM | - - - | | 6056 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| HCPL2731SDM | 2.7000 | | 9986 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2731 | DC | 2 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
| HMA121AR4V | - - - | | 8766 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MOCD217R2M | 1.1500 | | 148 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD217 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,05 v | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MCT210S | - - - | | 4332 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT210 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT210S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 11 µs | 30V | 1,33v | 100 ma | 5300 VRMs | 150% @ 10 mA | - - - | 1 µs, 50 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | FODM217AV | 0,9900 | | 830 | 0.00000000 | Onsemi | FODM217 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Fodm217avos | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
| MCT2300 | - - - | | 1501 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 1,1 µs, 50 µs | 400mV |
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