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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Kanaltyp | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Isolierte Kraft | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 4n25fvm | - - - | ![]() | 7161 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n25fvm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
![]() | 74ol60103s | - - - | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic ™ | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 74ol601 | Logik | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 ma | 15mb | 50ns, 5ns | - - - | - - - | 5300 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 180ns, 120ns | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD815W | - - - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD815 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 Ma | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | |||||||||||||||||||||
HMHA281R2_F132 | - - - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||||
FODM121C | 0,7100 | ![]() | 2944 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1990-FODM121C | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | MOC5009SM | - - - | ![]() | 8364 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Tasche | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 10 ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
H11A5300 | - - - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A5300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 30% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
![]() | MOC216R1M | - - - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC216 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC216R1M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | H11c3 | - - - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11c | Ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 30 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | FODM452R1V | - - - | ![]() | 1058 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | FODM45 | DC | 1 | Transistor | 5-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 8ma | - - - | 20V | 1,6 v | 25 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 400 ns, 350 ns | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | SL5504W | - - - | ![]() | 1254 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | SL5504 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SL5504W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 80V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 25% @ 10ma | 400% @ 10 mA | 50 µs, 150 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | CNY173s | - - - | ![]() | 8325 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
MCT2EM | 0,6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD2711Asv | 1.6800 | ![]() | 9179 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2711 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FOD2711asv-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | 4N35SR2m | 0,7500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
![]() | HCPL2730SDV | - - - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL27 | DC | 2 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 7v | 1,3 v | 20 ma | 2500 VRMs | 300% @ 1,6 mA | - - - | 300 ns, 5 µs | - - - | |||||||||||||||||||||
H11A4M | - - - | ![]() | 8021 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
![]() | 6N139TVM | 0,7246 | ![]() | 3787 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-mdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 240 ns, 1,3 µs | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | MOC3062SR2VM | 1.2200 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | MOC3052SM_F132 | - - - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||
CNX39U | - - - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNX39 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX39U-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 60% @ 10ma | 100% @ 10ma | 20 µs, 20 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
![]() | MOCD217R2M | 1.1500 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD217 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,05 v | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | HCPL0530R2 | - - - | ![]() | 5137 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL05 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 500 ns | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | CNY173TM | - - - | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY173TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | MOC206R2m | 0,7500 | ![]() | 3686 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Moc206 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | H11F23SD | - - - | ![]() | 3972 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11f | DC | 1 | Mosfet | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11F23SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | 25 µs, 25 µs (max) | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | MOC3082SR2VM | 1.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 800 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | CNX39U300W | - - - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNX39 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX39U300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 60% @ 10ma | 100% @ 10ma | 20 µs, 20 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
NCID9211 | 6.1800 | ![]() | 9553 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | I²c, spi | NCID92 | Kapazitive Koppung | 2 | 2,5 V ~ 5,5 V | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCID9211 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 50 mbit / s | BIDIREKTIONAL | 2.2ns, 3ns | 5000 VRMs | NEIN | 1/1 | 100 kV/µs | 25ns, 25ns | 10ns | ||||||||||||||||||||
H11A3300 | - - - | ![]() | 3936 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A3300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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