SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
MOC8102300 onsemi MOC8102300 - - -
RFQ
ECAD 8834 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8102300-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 30V 1,15 V 100 ma 5300 VRMs 73% @ 10ma 117% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
6N136V onsemi 6N136V - - -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N136 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 8ma - - - 20V 1,45 v 25 ma 2500 VRMs 19% @ 16ma 50% @ 16 ma 450ns, 500 ns - - -
MOC81053S onsemi MOC81053s - - -
RFQ
ECAD 1335 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MOC810 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC81053S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 30V 1,15 V 100 ma 5300 VRMs 65% @ 10 mA 133% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
HCPL0601R2V onsemi HCPL0601R2V 3.4200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HCPL0601 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 5,5 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 10 mbit / s 50ns, 12ns 1,75 V (max) 50 ma 3750 VRMs 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
H11A43S onsemi H11A43S - - -
RFQ
ECAD 2078 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11A43S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 100 ma 5300 VRMs 10% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
74OL6000300W onsemi 74OL6000300W - - -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Onsemi Optologic ™ Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 74ol600 Logik 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 5,5 V. 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 40 ma 15mb 45ns, 5ns - - - - - - 5300 VRMs 1/0 5kV/µs 100 ns, 100 ns
6N139SM onsemi 6N139SM 1.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel 6N139 DC 1 Darlington MIT Basis 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 60 mA - - - 18V 1,3 v 20 ma 5000 VRMs 500% @ 1,6 mA - - - 240 ns, 1,3 µs - - -
CNY17F3SR2VM onsemi CNY17F3SR2VM 0,6900
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY17F3 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
FODM214AR2 onsemi Fodm214ar2 0,7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi FODM214 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) FODM214 AC, DC 1 Transistor 4-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,2 v 50 ma 3750 VRMs 50% @ 1ma 250% @ 1ma 3 µs, 3 µs 400mV
FODM3010 onsemi FODM3010 - - -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 250 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 15 Ma - - -
FODM8801B onsemi Fodm8801b 1.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi OptoHit ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) FODM8801 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Fodm8801bfs Ear99 8541.49.8000 100 30 ma 5 µs, 5,5 µs 75 V 1,35 v 20 ma 3750 VRMs 130% @ 1ma 260% @ 1ma 6 µs, 6 µs 400mV
HMAA2705R2 onsemi HMAA2705R2 - - -
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
4N27W onsemi 4n27w - - -
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n27 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N27W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 100 ma 5300 VRMs 10% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 500mv
H11D1M onsemi H11d1m 1.0700
RFQ
ECAD 565 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11D1 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen H11D1MFS Ear99 8541.49.8000 50 100 ma - - - 300 V 1,15 V 80 Ma 4170 VRMs 20% @ 10 mA - - - 5 µs, 5 µs 400mV
MOC5008TM onsemi MOC5008TM - - -
RFQ
ECAD 5368 0.00000000 Onsemi Globaloptoisolator ™ Rohr Veraltet - - - K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) MOC500 DC 1 Offener Sammler - - - 6-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 1MHz - - - - - - 4ma 7500vpk 1/0 - - - - - -
MOC216R2M onsemi MOC216R2M 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOC216 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1.07V 60 mA 2500 VRMs 50% @ 1ma - - - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MOC8021SR2M onsemi MOC8021SR2M - - -
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MOC802 DC 1 Darlington 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 50V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 1000% @ 10 mA - - - 8,5 µs, 95 µs - - -
HMAA2705R4V onsemi HMAA2705R4V - - -
RFQ
ECAD 8959 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
H11A817A300W onsemi H11A817A300W - - -
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) H11a DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11A817A300W-NDR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,2 v 50 ma 5300 VRMs 80% @ 5ma 160% @ 5ma - - - 200mv
MCT9001SD onsemi MCT9001SD 1.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel MCT9001 DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 30 ma 2,4 µs, 2,4 µs 55 v 1V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
CNY17F1S onsemi CNY17F1S - - -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY17 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 300mV
FODM3023R2-NF098 onsemi FODM3023R2-NF098 1.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 cur, ur 1 Triac 4-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 5ma - - -
MOC3162SR2M onsemi MOC3162SR2M - - -
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MOC316 Ul 1 Triac 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3162SR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1,3 v 60 mA 4170 VRMs 600 V 500 µA (Typ) Ja 1kV/µs 10 ma - - -
MOC3032FVM onsemi MOC3032FVM - - -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc303 - - - 1 Triac 6-smd - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3032FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - 60 mA 7500vpk 250 V 400 µA (Typ) Ja - - - 10 ma - - -
MOC208M onsemi Moc208m - - -
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Moc208 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 3,2 µs, 4,7 µs 70V 1,15 V 60 mA 2500 VRMs 40% @ 10 mA 125% @ 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11G2M onsemi H11g2m 0,9700
RFQ
ECAD 975 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11g2 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - - 80V 1,3 v 60 mA 4170 VRMs 1000% @ 10 mA - - - 5 µs, 100 µs 1V
H11AV2AVM onsemi H11AV2AVM - - -
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11AV2AVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 70V 1,18 v 60 mA 7500vpk 50% @ 10 mA - - - 15 µs, 15 µs 400mV
MCT2ESVM onsemi MCT2ESVM - - -
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MCT2 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCT2ESVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 2 µs, 1,5 µs 30V 1,25 V. 60 mA 7500vpk 20% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
HCPL2730SD onsemi HCPL2730SD 2.8100
RFQ
ECAD 103 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel HCPL2730 DC 2 Darlington 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 60 mA - - - 7v 1,3 v 20 ma 2500 VRMs 300% @ 1,6 mA - - - 300 ns, 5 µs - - -
CNW135 onsemi CNW135 - - -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 40 10 ma - - - 20V - - - 100 ma 5000 VRMs 7% @ 16 ma - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus