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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODB102V | - - - |  | 5994 | 0.00000000 | Onsemi | Miccoubler ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Tebga | FODB10 | DC | 1 | Transistor | 4-bga (3,5x3,5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 1 µs, 5 µs | 75 V | 1,5 V (max) | 30 ma | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 3 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FODM3022-NF098 | 1.5300 | | 4985 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | cur, ur | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 400 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||||||
 | MCT23SD | - - - | | 4692 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT23 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT23SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 1,1 µs, 50 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MOC3021SM | 0,7700 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3021SM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||||||
 | FOD0738R1 | - - - | | 4974 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD073 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 2 Ma | 15mb | 12ns, 8ns | 1,45 v | 20 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 25kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||||||||
 | H11AA1TM | - - - | | 4438 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | HCPL3700SDV | - - - | | 4423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL3700 | AC, DC | 1 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 30 ma | 45 µs, 0,5 µs | 20V | - - - | 2500 VRMs | - - - | - - - | 6 µs, 25 µs | - - - | |||||||||||||||||||||
| H11D3S | - - - | | 8398 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11D3S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 200V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| CNY173TVM | 0,7700 | | 2115 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| 4n31 | - - - | | 9688 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n31 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1,2 v | |||||||||||||||||||||
| MOC3031FM | - - - | | 2775 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc303 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3031FM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 250 V | 400 µA (Typ) | Ja | - - - | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| 4N263SD | - - - | | 1543 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n26 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N263SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
 | H11g2 | - - - | | 2788 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs | 1V | |||||||||||||||||||||
| TIL117VM | 0,3334 | | 5125 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Til117 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | 10 µs, 10 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11A1300W | - - - | | 4613 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A1300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HCPL4503SM | 3.1200 | | 3669 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL4503 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | ||||||||||||||||||||
 | H11A817C3SD | - - - | | 1406 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817C3SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||||
| MCT2SM | - - - | | 8526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2SM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MOC8080W | - - - | | 5795 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC808 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8080W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 25 µs | 1V | ||||||||||||||||||||
| 4n353s | - - - | | 9486 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N353S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| 4n26fvm | - - - | | 7075 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n26 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n26fvm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| CNY173300W | - - - | | 5069 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY173300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| HCPL062NR1 | - - - | | 6348 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL06 | DC | 2 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 3,3 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 15 Ma | 10 mbit / s | 16ns, 4ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 25kV/µs | 90ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| CNY172300W | - - - | | 8375 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY172 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY172300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| HMA124V | - - - | | 8248 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA124 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MOC216m | 0,8500 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC216 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| HCPL0600R2V | - - - | | 3285 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL06 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| CNY174300W | - - - | | 9333 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY174300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | NCP51561DADWR2G | 4.0700 | | 815 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Kapazitive Koppung | CQC, UL, VDE | 2 | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 9a, 4,5a | 4.5a, 9a | 11ns, 10ns | - - - | 5000 VRMs | 200V/ns | 58ns, 58ns | 5ns | 18,5 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||
| H11b2 | - - - | | 8351 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V |
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