SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Strom - Spitzenausgang Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Impulsbreite Verzerrung (max) SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
HMA121R1 onsemi HMA121R1 - - -
RFQ
ECAD 1094 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA121 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
MCT52103S onsemi MCT52103s - - -
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MCT5 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCT52103S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 30V 1,25 V. 50 ma 5300 VRMs 70% @ 3ma - - - 10 µs, 400 ns 400mV
H11N3W onsemi H11N3W - - -
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) H11n DC 1 Offener Sammler - - - 6-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 5MHz - - - 1,4 v 10 ma 7500 VRMs 1/0 - - - 330ns, 330ns
CNY17F1SD onsemi CNY17F1SD - - -
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY17 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY17F1SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 300mV
H11L1SVM onsemi H11l1SVM 1.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11l1 DC 1 Offener Sammler 3v ~ 15 V 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11L1SVM-NDR Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 1MHz 100 ns, 100 ns 1,2 v 30 ma 4170 VRMs 1/0 - - - 4 µs, 4 µs
MOC256R2M onsemi MOC256R2M 1.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOC256 AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 150 Ma - - - 30V 1,2 v 60 mA 2500 VRMs 20% @ 10 mA - - - - - - 400mV
MOC3083SM onsemi MOC3083SM 1.3100
RFQ
ECAD 970 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc308 Ul 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3083SM-NDR Ear99 8541.49.8000 50 1,3 v 60 mA 4170 VRMs 800 V 500 µA (Typ) Ja 600 V/µs 5ma - - -
CNY174SVM onsemi CNY174SVM 0,3156
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY174 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 160% @ 10 mA 320% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
FOD8333 onsemi FOD8333 9.0800
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) FOD833 Optische Kopplung Ul 1 16 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 2,5a, 2,5a 3a 50ns, 50 ns 1,45 v 25 ma 4243VRMs 35 kV/µs 250ns, 250ns 100ns 3v ~ 15 V
MOC3011FR2M onsemi MOC3011FR2M - - -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc301 - - - 1 Triac 6-smd - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3011FR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - 60 mA 7500vpk 250 V 100 µA (Typ) NEIN - - - 10 ma - - -
TIL113300 onsemi TIL113300 - - -
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TIL113 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TIL113300-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,2 v 100 ma 5300 VRMs 300% @ 10ma - - - 350 ns, 55 µs 1,25 V.
FODM217DV onsemi FODM217DV 0,9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onsemi FODM217 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) FODM217 DC 1 Transistor 4-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,2 v 50 ma 3750 VRMs 300% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
FODM2701A onsemi FODM2701A - - -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM27 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,4 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
CNY174 onsemi CNY174 - - -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY174 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 160% @ 10 mA 320% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 300mV
4N36FR2VM onsemi 4n36fr2vm - - -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel 4n36 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N36FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 7500vpk 100% @ 10ma - - - 2 µs, 2 µs 300mV
FOD2742CV onsemi FOD2742CV - - -
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FOD274 DC 1 Transistor 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma - - - 70V 1,2 v 2500 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma - - - 400mV
MOC3012VM onsemi MOC3012VM 1.2700
RFQ
ECAD 851 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170 VRMs 250 V 100 µA (Typ) NEIN - - - 5ma - - -
MOC8050SR2M onsemi MOC8050SR2M 1.1400
RFQ
ECAD 921 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MOC8050 DC 1 Darlington 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 80V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 500% @ 10 mA - - - 8,5 µs, 95 µs - - -
H11AG1M onsemi H11AG1M 1.6500
RFQ
ECAD 987 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11AG DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma - - - 30V 1,25 V. 50 ma 4170 VRMs 100% @ 1ma - - - 5 µs, 5 µs 400mV
FODM2701BR1V onsemi FODM2701BR1V - - -
RFQ
ECAD 4727 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM27 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,4 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
MOC3051FR2M onsemi MOC3051FR2M - - -
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc305 Ur 1 Triac 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3051FR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500vpk 600 V 280 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 15 Ma - - -
FODM3053R2V onsemi FODM3053R2V - - -
RFQ
ECAD 9889 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 600 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 5ma - - -
FOD410V onsemi FOD410V 1.6213
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,25 V. 30 ma 5000 VRMs 600 V 500 ähm Ja 10kV/µs 2ma 60 µs
4N26SR2VM onsemi 4N26SR2VM - - -
RFQ
ECAD 7670 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel 4n26 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N26SR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 20% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC3031SR2M onsemi MOC3031SR2M 1.4800
RFQ
ECAD 928 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc303 Ul 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,25 V. 60 mA 4170 VRMs 250 V 400 µA (Typ) Ja 1kV/µs 15 Ma - - -
CNY171SR2M onsemi CNY171SR2M 0,7900
RFQ
ECAD 1588 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY171 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
MOC8020 onsemi MOC8020 - - -
RFQ
ECAD 1676 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC802 DC 1 Darlington 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 50V 1,15 V 60 mA 5300 VRMs 500% @ 10 mA - - - 3,5 µs, 95 µs 2V
H11A617A300W onsemi H11A617A300W - - -
RFQ
ECAD 4574 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) H11a DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,35 v 50 ma 5300 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma - - - 400mV
MCA231 onsemi MCA231 - - -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MCA23 DC 1 Darlington 6-DIP - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 150 Ma - - - 30V - - - 10 ma 4400 VRMs - - - - - - - - - - - -
H11A5M onsemi H11a5m - - -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11A5MFS Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 7500vpk 30% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager