SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
CNY17F2SVM onsemi CNY17F2SVM 0,2223
RFQ
ECAD 3373 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY17F2 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V. 60 mA 4170 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
FODM3023R4 onsemi FODM3023R4 - - -
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 5ma - - -
4N28SR2VM onsemi 4N28SR2VM 0,9900
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel 4n28 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 10% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC8101W onsemi MOC8101W - - -
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8101W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 30V 1,15 V 100 ma 5300 VRMs 50% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
MOC8020W onsemi MOC8020W - - -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) MOC802 DC 1 Darlington 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8020W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 50V 1,15 V 60 mA 5300 VRMs 500% @ 10 mA - - - 3,5 µs, 95 µs 2V
H11AV2FVM onsemi H11AV2FVM - - -
RFQ
ECAD 7570 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11AV2FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 70V 1,18 v 60 mA 7500vpk 50% @ 10 mA - - - 15 µs, 15 µs 400mV
MOC8106 onsemi MOC8106 - - -
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8106-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,15 V 100 ma 5300 VRMs 50% @ 10 mA 150% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
4N32TVM onsemi 4N32TVM 1.0500
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n32 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 150 Ma - - - 30V 1,2 v 80 Ma 4170 VRMs 500% @ 10 mA - - - 5 µs, 100 µs (max) 1V
HCPL2631M onsemi HCPL2631M 3.2400
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) HCPL2631 DC 2 Offener Sammler 4,5 V ~ 5,5 V. 8-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 25 ma 10 mbit / s 30ns, 10ns 1,45 v 30 ma 5000 VRMs 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FODM3010R1V onsemi FODM3010R1V - - -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 250 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 15 Ma - - -
CNY172FR2VM onsemi CNY172FR2VM - - -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY172 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY172FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 V. 60 mA 7500vpk 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
TIL117SR2M onsemi TIL117SR2M - - -
RFQ
ECAD 5824 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Til117 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TIL117SR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - 2 µs, 2 µs 30V 1,2 v 60 mA 7500vpk 50% @ 10 mA - - - 10 µs, 10 µs (max) 400mV
MOC8030300W onsemi MOC8030300W - - -
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) MOC803 DC 1 Darlington 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8030300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 80V 1,15 V 60 mA 5300 VRMs 300% @ 10ma - - - 3,5 µs, 95 µs - - -
MOC215R2M onsemi MOC215R2M - - -
RFQ
ECAD 9461 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOC215 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC215R2M-NDR Ear99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3 µs, 3 µs 30V 1.07V 60 mA 2500 VRMs 20% @ 1ma - - - 4 µs, 4 µs 400mV
MOC3081SR2VM onsemi MOC3081SR2VM 1.4000
RFQ
ECAD 562 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,3 v 60 mA 4170 VRMs 800 V 500 µA (Typ) Ja 600 V/µs 15 Ma - - -
H11B1M onsemi H11b1m 0,7600
RFQ
ECAD 470 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11b1 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 150 Ma - - - 30V 1,2 v 80 Ma 4170 VRMs 500% @ 1ma - - - 25 µs, 18 µs 1V
HCPL3700SVM onsemi HCPL3700SVM 8.0900
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel HCPL3700 AC, DC 1 Darlington 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 30 ma 45 µs, 0,5 µs 20V - - - 50 ma 5000 VRMs - - - - - - 6 µs, 25 µs - - -
HMA121CR3V onsemi HMA121CR3V - - -
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA121 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma - - - 400mV
HMA124R2V onsemi HMA124R2V - - -
RFQ
ECAD 7593 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA124 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma - - - 400mV
MCT6S onsemi MCT6S 1.0000
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel MCT6 DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCT6S-NDR Ear99 8541.49.8000 50 30 ma - - - 30V 1,2 v 60 mA 5000 VRMs 20% @ 10 mA - - - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
CNY173SR2VM onsemi CNY173SR2VM 0,8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY173 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V. 60 mA 4170 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
MOCD208R1M onsemi MOCD208R1M - - -
RFQ
ECAD 2591 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOCD20 DC 2 Transistor 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOCD208R1M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma 1,6 µs, 2,2 µs 70V 1,25 V. 60 mA 2500 VRMs 40% @ 10 mA 125% @ 10 mA 3 µs, 2,8 µs 400mV
HCPL0639 onsemi HCPL0639 6.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HCPL06 DC 2 Open Collector, Schottky Klemmte 4,5 V ~ 5,5 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 15 Ma 10 mbit / s 17ns, 5ns 1,75 V (max) - - - 3750 VRMs 2/0 25kV/µs 75ns, 75ns
H11G2W onsemi H11g2W - - -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) H11g DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11G2W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 80V 1,3 v 60 mA 5300 VRMs 1000% @ 10 mA - - - 5 µs, 100 µs 1V
HCPL2531 onsemi HCPL2531 - - -
RFQ
ECAD 7140 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) HCPL25 DC 2 Transistor 8-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 8ma - - - 20V 1,45 v 25 ma 2500 VRMs 19% @ 16ma 50% @ 16 ma 450ns, 300 ns - - -
CNY1723SD onsemi CNY1723SD - - -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY172 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY1723SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 V. 100 ma 5300 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 300mV
H11A817300 onsemi H11A817300 - - -
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11a DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11A817300-NDR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,2 v 50 ma 5300 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 200mv
MCT5210SD onsemi MCT5210SD - - -
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MCT5 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCT5210SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 30V 1,25 V. 50 ma 5300 VRMs 70% @ 3ma - - - 10 µs, 400 ns 400mV
HMA121R1V onsemi HMA121R1V - - -
RFQ
ECAD 6281 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA121 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
FOD617B3S onsemi FOD617B3S - - -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FOD617 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,35 V. 50 ma 5000 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA - - - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager