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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N36SR2m | 0,6200 |  | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n36 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 40% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | 4N32W | - - - | | 9601 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n32 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N32W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||||||
 | MOC3032VM | 0,4764 | | 9609 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc303 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| Moc3051m | 1.1700 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| MCT22013SD | - - - | | 9558 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT22013SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| CNY174SVM | 0,3156 | | 5968 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | MOC216R2VM | 0,2817 | | 4280 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC216 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MOC3033VM | - - - | | 2802 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc303 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3033VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| MOC3083SM | 1.3100 | | 970 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3083SM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 800 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||||
 | H11A617D300 | - - - | | 4313 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MOC3043TVM | 1,5000 | | 6730 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc304 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | MOC3043TVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||||
 | H11l1SVM | 1.2100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11l1 | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11L1SVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | |||||||||||||||||||
| MOC223R2M | 1.1600 | | 9308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC223 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 8µs, 110 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 10 µs, 125 µs | 1V | ||||||||||||||||||||
| H11A2SM | - - - | | 9852 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MCT5211 | - - - | | 2777 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 150% @ 1,6 mA | - - - | 14 µs, 2,5 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| MCT2201S | - - - | | 5659 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2201S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MCT2103SD | - - - | | 3729 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2103SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 11 µs | 30V | 1,33v | 100 ma | 5300 VRMs | 150% @ 10 mA | - - - | 1 µs, 50 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11f23s | - - - | | 2542 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11f | DC | 1 | Mosfet | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11F23S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | 25 µs, 25 µs (max) | - - - | ||||||||||||||||||||
| H11AA2S | - - - | | 8756 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA2S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HMA2701BR1 | - - - | | 4225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD3182s | 3.0900 | | 937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD3182 | Optische Kopplung | Ul | 1 | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2,5a, 2,5a | 3a | 38ns, 24ns | 1,43V | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 10 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
| H11A817A3SD | - - - | | 1069 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817A3SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||||
| CNY174 | - - - | | 2561 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| CNY173SM | 0,7200 | | 578 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY173 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY173SM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
| 4n25s | - - - | | 3410 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||||||||
| MOC3023FR2VM | - - - | | 9899 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3023FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 5ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| MOC8050W | - - - | | 3001 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC805 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8050W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 95 µs | - - - | ||||||||||||||||||||
| H11D2300W | - - - | | 6818 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11D2300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11N23SD | - - - | | 7964 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | - - - | 1,4 v | 5ma | 7500 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||||||
 | FODM3012V | - - - | | 2803 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 5ma | - - - |
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