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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Kanaltyp | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Isolierte Kraft | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NCV57090EDWR2G | 1.7066 |  | 5256 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | NCV57090 | Kapazitive Koppung | VDE | 1 | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCV57090EDWR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 6,5a, 6,5a | 6.5a | 13ns, 13ns | - - - | 5000 VRMs | 100 kV/µs | 90ns, 90ns | 30ns | 0V ~ 32V | |||||||||||||||||||||||
 | NCIV9311 | 6.4200 | | 2540 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | I²c, spi | NCIV93 | Kapazitive Koppung | 3 | 2,5 V ~ 5,5 V | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCIV9311 | 50 | 15 mbit / s | Unidirektional | 2,7ns, 2ns | 5000 VRMs | Ja | 2/1 | 100 kV/µs | 110ns, 110ns | 40ns | ||||||||||||||||||||||||
| NCV51561DADWR2G | 2.6712 | | 8662 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | NCV51561 | Magnetische Kopplung | CQC, UL, VDE | 2 | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCV51561DADWR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 2.6a, 7a | 4.5a, 9a | 11ns, 10ns | - - - | 5000 VRMs | 200V/ns | 58ns, 58ns | 5ns | 18,5 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
 | FOD617B3SD | - - - | | 4218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | FODM2705V | - - - | | 3738 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM27 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,4 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||||||||||
 | FOD8320V | 6.4900 | | 3052 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,362 ", 9,20 mm Breit), 5 Leads | FOD8320 | Optische Kopplung | IEC/EN/DIN, UL | 1 | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 2a, 2a | 3a | 60ns, 60 ns | 1,5 v | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 400 ns, 400 ns | 100ns | 16v ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
 | H11n2fvm | - - - | | 3195 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||||||||||
 | HCPL0452R2V | - - - | | 8907 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL04 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | NCD57256DR2G | 5.6200 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | Kapazitive Koppung | VDE | 2 | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 3,5a, 3,5a | 3,5a, 6,5a | 12ns, 10ns | - - - | 2500 VRMs | 100 kV/µs | 80ns, 80ns | 20ns | 32V | |||||||||||||||||||||||||
 | FOD8316V | 9.0800 | | 4691 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | FOD8316 | Optische Kopplung | IEC/EN/DIN, UL | 1 | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2,5a, 2,5a | 3a | 34ns, 34ns | - - - | 4243VRMs | 35 kV/µs | 500 ns, 500 ns | 300 ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||||
 | HCPL2611SDM | 2.0400 | | 5172 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2611 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 30ns, 10ns | 1,45 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||||
| HCPL0452R1 | - - - | | 9345 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL04 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| 4N26SVM | - - - | | 7963 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n26 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N26SVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||||||||||
 | CNY174 | - - - | | 2561 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||||
 | FODM3010R3V | - - - | | 5899 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | H11A817D300W | - - - | | 8515 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817D300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||||||
| MCT2SR2VM | - - - | | 5209 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2SR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| MOC8103300 | - - - | | 3820 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8103300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 108% @ 10 mA | 173% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| MCT52103s | - - - | | 3680 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT52103S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 70% @ 3ma | - - - | 10 µs, 400 ns | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| H11A817A3SD | - - - | | 1069 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817A3SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||||||
| MOC8050SD | - - - | | 1441 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC805 | DC | 1 | Darlington | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8050SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 95 µs | - - - | |||||||||||||||||||||||
| HCPL0500R1V | - - - | | 6997 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL05 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 500 ns | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| 6N135SV | - - - | | 4149 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N135 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 500 ns | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| MOCD208R1M | - - - | | 2591 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD20 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOCD208R1M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 2500 VRMs | 40% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,8 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| H11c3s | - - - | | 2394 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11c | Ur | 1 | Scr | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11c3s-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 30 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | CNY171W | - - - | | 7978 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY171 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY171W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
| CNY17F1M | 0,7700 | | 830 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17f | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | CNY17F1MFS | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| CNX35U300W | - - - | | 4296 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNX35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX35U300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 160% @ 10 mA | 20 µs, 20 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| MOC3082FVM | - - - | | 6719 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc308 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3082FVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 800 V | 500 µA (Typ) | Ja | - - - | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| H11A617B300W | - - - | | 3569 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 400mV |
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