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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIL113W | - - - |  | 5093 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | TIL113 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIL113W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 300% @ 10ma | - - - | 350 ns, 55 µs | 1,25 V. | ||||||||||||||
 | MOC5008m | - - - | | 3272 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC5008-m | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 4ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | |||||||||||||
 | MOC5008FM | - - - | | 9762 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Tasche | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 1,6 Ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | FODM1008R2 | 0,6600 | | 6646 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM1008 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5,7 µs, 8,5 µs | 70V | 1,4 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
| H11G1SR2VM | 0,4318 | | 2093 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11g1 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 100V | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs | 1V | ||||||||||||||
| 4n25s | - - - | | 3410 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | MCT6S | 1.0000 | | 72 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | MCT6 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT6S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 30 ma | - - - | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2,4 µs, 2,4 µs | 400mV | |||||||||||||
| H11G2300W | - - - | | 3820 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11G2300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs | 1V | ||||||||||||||
| 4n38m | 0,6100 | | 449 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n38 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 ma | - - - | 80V | 1,15 V | 80 Ma | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 1V | ||||||||||||||
| CNY17F2M | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17f | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| CNY172FR2VM | - - - | | 3094 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY172 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY172FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 60 mA | 7500vpk | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
 | HMA2701BR1 | - - - | | 4225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
| MOC3163SR2M | 2.0200 | | 478 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC316 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
| MOC3063TM_F132 | - - - | | 7216 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc306 | Ul | 1 | Triac | 6-DIP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
| HMA121R2V | - - - | | 5104 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||
 | 6N137TSVM | 1.7500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N137 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 30ns, 10ns | 1,45 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
| MOC3041TM | - - - | | 3158 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc304 | Ul | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3041TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||
| H11A1300 | - - - | | 2662 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
| Moc3043m | 1.0400 | | 12 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc304 | Ul | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | MOCD207M | 1.4100 | | 30 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD207 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||
| H11A817B3S | - - - | | 4906 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817B3S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
| H11l1vm | 1.1900 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11l1 | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | ||||||||||||||
| CNY17F4TVM | 0,9100 | | 600 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY17F4 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| MOC223R1M | - - - | | 8476 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC223 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC223R1M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 3,5 µs, 95 µs | 1V | ||||||||||||||
| HMA2701AR3V | - - - | | 9582 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
| MOC5009SR2M | - - - | | 6712 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 10 ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||
| 4n283s | - - - | | 7458 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N283S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||
| 4n26w | - - - | | 8479 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n26 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N26W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||
 | FOD814A300W | 0,6100 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 150% @ 1ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
| H11b13s | - - - | | 7667 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B13S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V |
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