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Isolonen (3348)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC8106W | - - - |  | 3959 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8106W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | 150% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| CNY171300W | - - - | | 5018 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY171 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY171300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | H11A23S | - - - | | 7316 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A23S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | H11A617D3S | - - - | | 5340 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| 4N33W | - - - | | 5995 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n33 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N33W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||||||
| MOC81023SDL | - - - | | 7098 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | Fod817cs | 0,5300 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||||
 | H11av2m | - - - | | 1790 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AV2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | 15 µs, 15 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | MOCD208VM | - - - | | 7089 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD20 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 2500 VRMs | 40% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | FOD8320R2V | 6.4500 | | 2552 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,362 ", 9,20 mm Breit), 5 Leads | FOD8320 | Optische Kopplung | IEC/EN/DIN, UL | 1 | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2a, 2a | 3a | 60ns, 60 ns | 1,5 v | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 400 ns, 400 ns | 100ns | 16 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
| CNW83s | - - - | | 9320 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNW83 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 ma | - - - | 50V | - - - | 100 ma | 5900 VRMs | 0,4% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||
| MOC8100TVM | - - - | | 6257 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8100TVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | 30% @ 1ma | - - - | 20 µs, 20 µs (max) | 500mv | ||||||||||||||||||||
| H11l2m | 1.4500 | | 2288 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11l2 | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | ||||||||||||||||||||
| H11B3SD | - - - | | 4265 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B3SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||||||
| MOC211R2VM | 0,2439 | | 6237 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC211 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| HCPL0452V | - - - | | 7309 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL04 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | |||||||||||||||||||||
| H11AV1AVM | 0,9800 | | 901 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11AV | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 300% @ 10ma | 15 µs, 15 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HCPL2630S | 3.2700 | | 5812 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2630 | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| 74OL6001300 | - - - | | 1914 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic ™ | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 74ol600 | Logik | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 ma | 15mb | 45ns, 5ns | - - - | - - - | 5300 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||||||||
| H11c2300 | - - - | | 6752 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11c | UR, VDE | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11C2300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 20 ma | - - - | ||||||||||||||||||||
| MCT2202SD | - - - | | 5180 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2202SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11N3SM | - - - | | 1489 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||||
 | HCPL2601W | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | HCPL26 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| Fod2741bsv | 1.8600 | | 9502 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2741 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| Moc3062m | 1.1500 | | 660 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc306 | Ul | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||||
| 4n27s | - - - | | 3364 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n27 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N27S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| HCPL2731SDV | - - - | | 9216 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL27 | DC | 2 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 2500 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 300 ns, 5 µs | - - - | |||||||||||||||||||||
| TIL1113S | - - - | | 9205 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | TIL111 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIL1113S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2ma | 10 µs, 10 µs (max) | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | - - - | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11A1SR2VM | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11A1 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11A4VM | - - - | | 5543 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A4VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV |
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