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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | ILQ615-4-lb | - - - | ![]() | 1806 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | ILQ615 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | - - - | 751-ILQ615-4-lb | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | MOC211VM | 0,2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,398 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP759F (D4FA1T4SJF | - - - | ![]() | 3610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759F (D4FA1T4SJF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
![]() | 4N37TVM | 0,2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,210 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | |||||||||||||||||||
![]() | Tcet1109g | 0,6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TCET1109 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-3700-320 | - - - | ![]() | 6876 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | AC, DC | 1 | Darlington | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 30 ma | 20 µs, 0,3 µs | 20V | - - - | 5000 VRMs | - - - | - - - | 4 µs, 10 µs | - - - | |||||||||||||||||
![]() | CNY17F1SD | 0,2200 | ![]() | 4268 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||
![]() | PS9814-1-F4-A | - - - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 10ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
![]() | EL817S1 (D) (TD) -FG | 0,1062 | ![]() | 9479 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL817 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | 1080 -EL817S1 (D) (TD) -FGTR | Ear99 | 8541.41.0000 | 1.500 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
![]() | OR-3H7-4GB-TA1-G- (GK) | 1.0400 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | H11AV1VM | 0,2900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.030 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 300% @ 10ma | 15 µs, 15 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||||||
![]() | FODM3052R1 | - - - | ![]() | 5074 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | TLP2468 (f) | - - - | ![]() | 5641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2468 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2468f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 20mb | 30ns, 30ns | 1,57 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
![]() | CNY17-2. | 0,6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
EL3012S (TB) | - - - | ![]() | 1618 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3012 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903120005 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 5000 VRMs | 250 V | 100 ma | 250 µA (Typ) | NEIN | 100 V/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | PS8101-K-Ach | 1.5862 | ![]() | 1835 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Schüttgut | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | PS8101 | DC | 1 | Transistor | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-1559 | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 8ma | - - - | 35 V | 1,7 v | 25 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | 35% @ 16 Ma | 500 ns, 600 ns | - - - | ||||||||||||||
![]() | EL817 (S1) (c) (TB) -g | - - - | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP250H (LF5, F) | - - - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP250 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250H (LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 a | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 40 kV/µs | 500 ns, 500 ns | ||||||||||||||||
![]() | S208T02F | - - - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-sip | S208T | Ul | 1 | Triac, macht | 4-sip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 1,2 v | 50 ma | 3000 VRMs | 600 V | 8 a | 50 ma | Ja | 30 V/µs | 8ma | 10 ms (max) | |||||||||||||||||
![]() | CNY17F3 | 0,0900 | ![]() | 3759 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 667 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||
![]() | ISP817XSM | 0,6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | ISP817 | DC | 1 | Transistor | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | Tps5910a | 0,7500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.49.8000 | 398 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RV1S9260ACCSP-10YV#KC0 | 2.3000 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 5-smd, Möwenflügel | RV1S9260 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 5-lsso | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 10 ma | 15 mbit / s | 5ns, 5ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
![]() | VO2631 | 3.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | VO2631 | DC | 2 | Offene Abfluss | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 MB | 23ns, 7ns | 1,42v | 15 Ma | 5300 VRMs | 2/0 | 5kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||||||||||
![]() | 6N140TXV | 179.8591 | ![]() | 2087 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | - - - | - - - | 6N140 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
![]() | HSMP58000 | - - - | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | HSMP58 | - - - | 751-HSMP58000 | Veraltet | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
8302401FC | 173.3700 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-Flatpack | 8302401 | DC | 4 | Darlington | 16-Flatpack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 8 µs | 110mv | ||||||||||||||||
![]() | PS8602L-F3-A | - - - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 35 V | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | 500 ns, 300 ns | - - - | |||||||||||||||||
![]() | FOD4218SDV | 6.2100 | ![]() | 5517 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD4218 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 1,3 ma | 60 µs | ||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4gr-TP7, f | - - - | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4gr-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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