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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FOD617B3SD | - - - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | VOM617A-3X001T | 0,5700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VOM617 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 mA | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 6 µs, 4 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP628M (LF1, e | 0,9100 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd (0,300 ", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 10 µs, 10 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (Bll-TP6, F) | - - - | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (Bll-TP6F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL2531SDM | 0,7600 | ![]() | 571 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 397 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4GHF7, f | - - - | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4GHF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2562L2-1-A | 1.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2562 | DC | 1 | Darlington | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 200 ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | ||||||||||||||||
MCT2ES1 (TA) -V | - - - | ![]() | 4280 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 390717t230 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,23V | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
MOC8103300 | - - - | ![]() | 3820 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8103300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 108% @ 10 mA | 173% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | H11A1M-V | 0,3947 | ![]() | 3982 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11A1 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907171107 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | MCT52003SD | - - - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT52003SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1,3 µs, 16 µs | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 75% @ 10 mA | - - - | 1,6 µs, 18 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | CNY17F-4SM | 0,2012 | ![]() | 9597 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | CNY17F-4 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-CNY17F-4SM | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 50 ma | 4,6 µs, 15 µs | 70V | 1,2 v | 60 mA | 7,5 VPK | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 6 µs, 25 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | 6n139m | 1.3700 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 240 ns, 1,3 µs | - - - | |||||||||||||||
H11AA1300 | - - - | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
EL3022S1 (TB) | - - - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3022 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903220007 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 5000 VRMs | 400 V | 100 ma | 250 µA (Typ) | NEIN | 100 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Vol628at | 0,7000 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Vol628 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 751-Vol628at | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 80V | 1.16V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 600% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | FODM3082 | - - - | ![]() | 2393 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | Cul, ul | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 3750 VRMs | 800 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | TLP291 (e) | - - - | ![]() | 1657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 175 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | ACPL-847-00GE | 1,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ACPL-847 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | HCPL-2611-300E | 3.2300 | ![]() | 736 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2611 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 MB | 24ns, 10ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
![]() | HCPL-0211#560 | - - - | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8 Also Groß | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 5mb | 30ns, 7ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs, 10kV/µs | 300 ns, 300 ns | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F-2 | 0,6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | ACPL-P456-060E | 3.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | ACPL-P456 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 Ma | - - - | - - - | 1,5 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400 ns | |||||||||||||||
![]() | H11A3M | 0,2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
MOC8102-X017T | 1.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC8102 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
TLP292-4 (e | 1.7900 | ![]() | 5139 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP292-4 (e (t | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | OCP-PCTB116/E-tr | - - - | ![]() | 8459 | 0.00000000 | Lumex opto/components Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | OCP-PCTB116 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5 µs, 4 µs | 60 v | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 60% @ 2ma | 600% @ 2MA | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-7721-320E | 3.5436 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-7721 | Logik | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 ma | 25mb | 9ns, 8ns | - - - | - - - | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
![]() | HCPL-817-060E | 0,1572 | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | 4N28-X009 | 0,2209 | ![]() | 5053 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,36 v | 60 mA | 5000 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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