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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | HMA2701R1 | - - - | ![]() | 1577 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP3083F (D4, f | 1.7400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm), 5 Leads | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 600 ähm | Ja | 2kV/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | HCPL-4701-520E | 1.8376 | ![]() | 3070 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-4701 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,25 V. | 10 ma | 5000 VRMs | 600% @ 500 ähm | 8000% @ 500 ähm | 3 µs, 34 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | PS2701-1-V-F3-Pa | - - - | ![]() | 3496 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-1424-2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
PC81716NIP0F | - - - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 160% @ 500 ähm | 500% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||
![]() | FOD817C300 | 0,5400 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
EL3033S1 (TB) -V | - - - | ![]() | 2712 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3033 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903330115 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 250 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | 4N36-X009 | 0,2209 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n36 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 10 µs, 10 µs | - - - | ||||||||||||||||
![]() | HCPL-2630-320E | 2.0270 | ![]() | 3106 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2630 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 MB | 24ns, 10ns | 1,5 v | 15 Ma | 5000 VRMs | 2/0 | 5kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
![]() | PS2801-1-F3-LA | - - - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | PS2801 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.1V | 50 ma | 2500 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | 5962-0822703HUA | 99.4118 | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-smd, Hinterngelenk | 5962-0822703 | DC | 4 | Darlington | 16-SMD-Buttfuge | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 6 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | TLP781 (TP6, F) | - - - | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (TP6F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL-4503-300E | 2.8600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-4503 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 200ns, 600ns | - - - | |||||||||||||||
![]() | SFH6156-3T-LB | - - - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6156 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH6156-3T-LB | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | PC357N5J000F | - - - | ![]() | 7073 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-miniflat | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
![]() | PS9613L-E3 | - - - | ![]() | 1828 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | PS9613LE3 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 15 Ma | 1 mbit / s | - - - | 1,65 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 750 ns, 500 ns | |||||||||||||||
![]() | HCPL-2211#300 | 2.8577 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2211 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 5mb | 30ns, 7ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs, 10kV/µs | 300 ns, 300 ns | |||||||||||||||
![]() | TLP552 (Ho, F) | - - - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP552 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP552 (HOF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | H11AA2 | 0,2700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 10 µs, 10 µs (max) | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 10 µs, 10 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||||||
![]() | PC81713NSZ0X | - - - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 200% @ 500 ähm | 500% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
PS2525L-1-A | - - - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,3 v | 150 Ma | 5000 VRMs | 20% @ 100 mA | 80% @ 100 mA | - - - | 300mV | ||||||||||||||||||
![]() | PC81713NSZ0F | - - - | ![]() | 9356 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 425-2183-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 10 ma | 5000 VRMs | 200% @ 500 ähm | 500% @ 500 ähm | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
TLP293-4 (LGBTP, e | 1.6400 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||
![]() | PS2561-1-LA | - - - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | PC123X1YSZ0F | - - - | ![]() | 3966 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
![]() | Loc112ptr | 1.3374 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | Loc112 | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-Flatpack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | 100 ma | 3750 VRMs | 0,73% @ 2ma ~ 10 mA | 1,07% @ 2ma ~ 10 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||
![]() | FOD815W | - - - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD815 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 Ma | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | ||||||||||||||||
![]() | CNY65B | 2.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY65 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 30 | 50 ma | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,25 V. | 75 Ma | 8200 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 5 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
H11b255s (TB) | - - - | ![]() | 1464 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b2 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C130000005 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||
![]() | IL205AT-LB | - - - | ![]() | 8889 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | Il205at | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | - - - | 751-IL205AT-LB | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1,3 v | 60 mA | 4000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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