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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | H11G2TVM | 1.0000 | ![]() | 6026 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | 80V | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 1000% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs | 1V | |||||||||||||||||||
4N31S1 (TB) -V | - - - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907150047 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1,2 v | |||||||||||||||||
![]() | TLP185 (Bll-TPR, E) | - - - | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP185 (Bll-tpre) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 Ma | 5 µs, 9 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 9 µs, 9 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | Vo615a-5x009t | 0,1298 | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 Ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | 4N33-X000 | - - - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n33 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V (Typ) | |||||||||||||||
FOD410SV | 1.0000 | ![]() | 2765 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD410 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,25 V. | 30 ma | 5000 VRMs | 600 V | 500 ähm | Ja | 10kV/µs | 2ma | 60 µs | ||||||||||||||||||||
![]() | MOC8050SR2VM | 1.3900 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC8050 | DC | 1 | Darlington | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 80V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 8,5 µs, 95 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | IL300-E-X001 | - - - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IL300 | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 70 um (Typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | NTE3098 | 2.6400 | ![]() | 8746 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE3098 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 20 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
H11A4S1 (TA) -V | - - - | ![]() | 6520 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11A4 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907171146 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | MOC5009SM | - - - | ![]() | 8364 | 0.00000000 | Onsemi | Globaloptoisolator ™ | Tasche | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC500 | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 10 ma | 7500vpk | 1/0 | - - - | - - - | |||||||||||||||
![]() | PS2502-1-KA | - - - | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 200 ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17v | 80 Ma | 5000 VRMs | 2000% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | ||||||||||||||||
![]() | MOC3043FR2M | - - - | ![]() | 6240 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc304 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3043FR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | - - - | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | SFH617A-1X007T | 1.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH617 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 Ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 60 mA | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | PS2561DL1-1Y-VA | - - - | ![]() | 2344 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 v | 40 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | LTV-851 | 0,2570 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 Ma | 4 µs, 5 µs | 300 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 40% @ 5ma | - - - | - - - | 300mV | |||||||||||||||||
![]() | PS2505-4x | 1.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | PS2505 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 Ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | PS9814-2-F4-A | - - - | ![]() | 1187 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 10ns | 1,65 v | 15 Ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
![]() | CNX35UW | - - - | ![]() | 1586 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNX35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX35UW-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 160% @ 10 mA | 20 µs, 20 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP531 (Mbsin-TP5, f | - - - | ![]() | 5651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (Mbsin-Tp5ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PS2561DL2-1Y-LA | - - - | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PS2561DL21YLA | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 v | 40 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | RV1S9160ACCSP-100V#KC0 | 2.2300 | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | RV1S9160 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 5-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 ma | 15 mbit / s | 5ns, 5ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
![]() | CNY17-1-W60E | 0,2268 | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 150 Ma | 5 µs, 5 µs | 70V | 1,4 v | 60 mA | 5000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
EL3083S (TA) | 0,2262 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3083 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903830016 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | IL216AT | 1.0400 | ![]() | 8570 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IL216 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | - - - | 30V | 1V | 60 mA | 4000 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | 140817143400 | 0,2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Würdh Elektronik | WL-OCPT | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-dip-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GR-FD, F) | - - - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-GR-FDF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL-0600#560 | 1.6217 | ![]() | 8141 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-0600 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8 Also Groß | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 10 MB | 24ns, 10ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
CNY17-1x017 | 0,2509 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 Ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | 4n38m | - - - | ![]() | 2033 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 10 µs, 9 µs | 1V |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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