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Optoisolatoren(1738)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max)
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-LF1,E 0,9300
Anfrage
 ECAD 4484 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 110µs, 30µs 1,2V
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(F) -
Anfrage
 ECAD 3713 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-DIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRH-LF6,F -
Anfrage
 ECAD 5475 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(GRH-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 150 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
Anfrage
 ECAD 5428 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160J - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4COS-TP5,F -
Anfrage
 ECAD 2015 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP750(D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 10 % bei 16 mA - 200 ns, 1 µs -
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BL-TP7,F -
Anfrage
 ECAD 2536 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4BL-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
Anfrage
 ECAD 2849 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL-LF6,F -
Anfrage
 ECAD 2876 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-BL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(LF1,F) -
Anfrage
 ECAD 5900 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP620 Wechselstrom, Gleichstrom 2 Transistor 8-SMD herunterladen 264-TLP620-2(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 50mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(J,F) -
Anfrage
 ECAD 5085 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor 8-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht anwendbar TLP759(JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - 200 ns, 300 ns -
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-LF7,F -
Anfrage
 ECAD 8701 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLPN137(D4TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4TP1,S -
Anfrage
 ECAD 6732 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLPN137 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLPN137(D4TP1STR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BL-TP,SE 0,6100
Anfrage
 ECAD 7938 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(LF6,F -
Anfrage
 ECAD 7433 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(YH,E 0,5100
Anfrage
 ECAD 1248 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP183 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP183(YHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 75 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832(TP,E 2.8100
Anfrage
 ECAD 6975 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1,4V 20mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(E 1.2600
Anfrage
 ECAD 125 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5701 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 600 mA - 50ns, 50ns 1,57 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP5772H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(E 2.4900
Anfrage
 ECAD 2448 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5772 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 5,5 V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP5772H(E EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,4V 8mA 5000 Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-GR,M,F) -
Anfrage
 ECAD 7294 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP733 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP733(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4TP4,E 1.9900
Anfrage
 ECAD 8441 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20mA 5000 Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP127TPRUF Toshiba Semiconductor and Storage TLP127TPRUF -
Anfrage
 ECAD 7557 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-L-TPL,F -
Anfrage
 ECAD 3726 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(TP1,E 0,9300
Anfrage
 ECAD 8195 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 110µs, 30µs 1,2V
TLP627-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(TP1,F) -
Anfrage
 ECAD 4395 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP627 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP627-2(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(D4TP4,E 1.8300
Anfrage
 ECAD 8950 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5702 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20mA 5000 Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(TA,F) -
Anfrage
 ECAD 4822 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP630 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-DIP herunterladen 264-TLP630(TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRL-TPL,E 0,5100
Anfrage
 ECAD 6712 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP183 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP2630(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(LF1,F) -
Anfrage
 ECAD 7720 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP2630 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP2630(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4,F -
Anfrage
 ECAD 7573 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(D4F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(TP4,E -
Anfrage
 ECAD 7022 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP2761 Wechselstrom, Gleichstrom 1 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP2761(TP4E EAR99 8541.49.8000 1.000 10mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5V 10mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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