SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-TP7,F -
Anfrage
ECAD 9870 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GR-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP160G(OMT7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(OMT7,F) -
Anfrage
ECAD 4295 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160G - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160G(OMT7F)TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(TPL,U,C,F) -
Anfrage
ECAD 9293 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP191 Gleichstrom 1 Photovoltaik 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen 264-TLP191B(TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 - - 8V 1,4V 50mA 2500 Vrms - - 200µs, 3ms -
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(COSTPLUC,F -
Anfrage
ECAD 3149 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP190 Gleichstrom 1 Photovoltaik 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen 264-TLP190B(KOSTPLUCF EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1,4V 50mA 2500 Vrms - - 200µs, 1ms -
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TP1,F) -
Anfrage
ECAD 8249 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP2531 Gleichstrom 2 Transistor mit Sockel 8-SMD herunterladen 264-TLP2531(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 2500 Vrms 19 % bei 16 mA 30 % bei 16 mA 200 ns, 300 ns -
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-GR,F -
Anfrage
ECAD 1238 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(LF2,F) -
Anfrage
ECAD 1632 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP371 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP371(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-BLL,F) -
Anfrage
ECAD 8857 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4-GB,E -
Anfrage
ECAD 3269 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP383 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP383(D4-GBETR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(LF5,F) -
Anfrage
ECAD 9974 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP550 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP550(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768(F) -
Anfrage
ECAD 8492 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP2768 Gleichstrom 1 Open Collector 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP2768(F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TOSYK,F) -
Anfrage
ECAD 2768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) Gleichstrom 2 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP2531(TOSYKF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 2500 Vrms 19 % bei 16 mA - - -
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-YH-LF6,F -
Anfrage
ECAD 9575 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-YH-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 75 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2391(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391(E 1.3000
Anfrage
ECAD 125 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP2391 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 10mA 10 MBd 3ns, 3ns 1,55 V 10mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(SAN-TL,F -
Anfrage
ECAD 5590 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9114B(SAN-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(TP,E 1.1100
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP2745 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 30 V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA - 3ns, 3ns 1,55 V 15mA 5000 Vrms 1/0 30kV/µs 120ns, 120ns
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(LF1,F) -
Anfrage
ECAD 7502 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP512 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP512(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GB,F -
Anfrage
ECAD 1379 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(TPL,E 0,5100
Anfrage
ECAD 9277 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP293 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP2766F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F(TP,F) -
Anfrage
ECAD 2401 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP2766 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP2766F(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10mA 20 MBd 15ns, 15ns 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-T7,F -
Anfrage
ECAD 2410 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GRL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(TPL,U,C,F) -
Anfrage
ECAD 7752 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP190 Gleichstrom 1 Photovoltaik 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen 264-TLP190B(TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1,4V 50mA 2500 Vrms - - 200µs, 1ms -
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(OGI-TL,F(O -
Anfrage
ECAD 2489 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLX9291(OGI-TLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP3083F(D4,TP4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,TP4F 1.7800
Anfrage
ECAD 8946 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SMD, Gull Wing, 5 Anschlüsse TLP3083 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 50mA 5000 Vrms 800 V 100mA 600µA Ja 2kV/µs (typisch) 5mA -
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F(TP4,F) -
Anfrage
ECAD 9421 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 3V ~ 20V 8-SMD herunterladen 264-TLP2958F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5 Mbit/s 15ns, 10ns 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4,E 0,5400
Anfrage
ECAD 4303 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP385 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP385(D4E EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ITO-TPR,U,F -
Anfrage
ECAD 3744 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(ITO-TPRUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4BLT7,F -
Anfrage
ECAD 5763 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4BLT7FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(V4-TPL,E 1.5200
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP104 Gleichstrom 1 Open Collector 4,5 V ~ 30 V 6-SO, 5 Blei herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 8mA 1 Mbit/s - 1,61 V 25mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 550 ns, 400 ns
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR,SE 0,5900
Anfrage
ECAD 3461 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP185 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager