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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Y-TPL, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP185 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP781F(D4GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4grl-F7, f - - -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4grl-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP266J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (T7, e - - -
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP266 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-Sop - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP266J (T7E Ear99 8541.49.8000 125 1,27 v 50 ma 3750 VRMs 600 V 70 Ma 600 ähm Ja 200 V/µs 10 ma 30 µs
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-TP6, F) - - -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (YH-TP6F) TR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2200 DC 1 Tri-staat 4,5 V ~ 20V 8-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 25 ma 2,5 MBD 35ns, 20ns 1,55 v 10 ma 2500 VRMs 1/0 1kV/µs 400 ns, 400 ns
TLP5772(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 (D4-TP, e 0,9772
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5772 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP5772 (D4-TPE Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 15ns, 8ns 1,65 v 8ma 5000 VRMs 1/0 35 kV/µs 150ns, 150ns
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp626 (fuji, f) - - -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 264-TLP626 (Fujif) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 8 µs, 8 µs 55 v 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 (TPR, e 0,6576
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP3906 DC 1 Photovoltaik 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 12 µA - - - 7v 1,65 v 30 ma 3750 VRMs - - - - - - 200 µs, 300 µs - - -
TLP124(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (BV-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP124 DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP124 (BV-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 200% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP2405(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405 (f) - - -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TLP2405 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 20V 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP2405F Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 5 mbit / s 30ns, 30ns 1,57 v 25ma 3750 VRMs 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP754F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (D4, F) - - -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP754 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 8-DIP Herunterladen 264-TLP754F (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP266J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (v4t7, e 0,9200
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tlp Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP266 1 Triac 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP266J (V4T7E Ear99 8541.49.8000 125 1,27 v 30 ma 3750 VRMs 600 V 70 Ma 600 um (Typ) Ja 200 V/µs 10 ma 30 µs
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TR, e 0,7800
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP388 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 350 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2116(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 (TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TLP2116 DC 2 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 5,5 V. 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.500 10 ma 15mb 15ns, 15ns 1,65 v 20 ma 2500 VRMs 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP785(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (gr, f) 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F - - -
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2631 DC 2 Open Collector, Schottky Klemmte 4,5 V ~ 5,5 V. 8-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 16 Ma 10 MB 30ns, 30ns 1,65 v 20 ma 2500 VRMs 2/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP2704(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704 (e 1.4400
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2704 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 15 Ma - - - - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 400 ns, 550 ns
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (V4GBTL, SE - - -
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP185 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP185 (V4GBTLSE Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (TPL, e 1.8500
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP3905 DC 1 Photovoltaik 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 30 µA (Typ) - - - 7v 1,65 v 30 ma 3750 VRMs - - - - - - 300 µs, 1 ms - - -
TLP3914(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3914 (TP15, F) 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen TLP3914 DC 1 Photovoltaik 4-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 20 µA - - - 7v 1,3 v 30 ma 1500 VRMs - - - - - - 300 µs, 600 µs - - -
TLP781F(D4-FUNBL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Funbl, f - - -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-Funblf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM-TPR, e 1.9200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP109 DC 1 Transistor 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8ma - - - 20V 1,64 v 20 ma 3750 VRMs 25% @ 10ma 75% @ 10 mA 450ns, 450ns - - -
TLP512(NEMIC,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Nemic, TP1, F. - - -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP512 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP512 (Nemictp1ftr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP293-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LGBTP, e 1.6400
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP293 DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 500 ähm 600% @ 500 ähm 3 µs, 3 µs 300mV
TLP754(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (f) - - -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP754 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 8-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP754F Ear99 8541.49.8000 50 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp361j (f) - - -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP361 Ur 1 Triac 4-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 600 V 100 ma 600 um (Typ) Ja 200 V/µs 10 ma 30 µs
TLP161J(DMT7TR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (DMT7TR, C, F. - - -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP161J - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP161J (DMT7TRCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (D4, e 1.2400
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5701 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP5701 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 600 mA - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 500 ns, 500 ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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