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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (D4-Cano) - - -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP360 CQC, Cul, UL, VDE 1 Triac 4-DIP - - - 264-TLP360J (D4-Cano) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 600 V 100 ma 1ma NEIN 500 V/µs (Typ) 10 ma 30 µs
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT, J, F) - - -
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (MBS-ITJF) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP293-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4LATPE 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP293 DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 500 ähm 600% @ 500 ähm 3 µs, 3 µs 300mV
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads TLP137 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-mfsop, 5 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP137 (BV-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 200% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (4HWTP, f - - -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP714 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP714F (4HWTPF Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (Hitomk, F) - - -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP627 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP627-4 (HITOMKF) Ear99 8541.49.8000 25
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 264-TLP626 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 8 µs, 8 µs 55 v 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2530 DC 2 Transistor -MIT -Basis 8-smd Herunterladen 264-TLP2530 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 15 v 1,65 v 25 ma 2500 VRMs 7% @ 16 ma 30% @ 16 ma 300 ns, 500 ns - - -
TLP2766F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 2401 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP2766 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP2766F (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 ma 20mb 15ns, 15ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 55ns, 55ns
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, e 0,5500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP182 (ye Ear99 8541.49.8000 125 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP2368(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 (tpl, e 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2368 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 ma 20mb 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPR, e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP187 DC 1 Darlington 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (D4, e 1.8300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2735 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 9v ~ 15V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 20 ma 10 mbit / s -, 4ns 1,61V 15 Ma 5000 VRMs 1/0 25kV/µs 100 ns, 100 ns
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (HNE-TL, F) - - -
RFQ
 ECAD 8396 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9104 (HNE-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GB-LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 1145 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP632 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP632 (GB-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-LF7, f - - -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-Y-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (BV-LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP331 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP331 (BV-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BLF6, f - - -
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4-BL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781 (y-lf6, f) - - -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (Y-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL, F) - - -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP627-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP627 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP627-2 (TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-BLL, F) - - -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-BLLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (y-tp7, f - - -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (y-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP331 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP331 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4teigf2j, f - - -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4TEIGF2JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (tpl, e 1.7700
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2370 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 ma 20 mbit / s 3ns, 2ns 1,5 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TL, e 0,7900
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP388 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 350 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP160G(T7-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T7-TPR, U, F. - - -
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP160G - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP160G (T7-Tpruftr Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel AC, DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen 264-TLP620-2 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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