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Optoisolatoren (1738)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP293-4 (V4-GB, e | 1.6300 |  | 4183 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | Tlp9114b (tojs-tl, f | - - - | | 1713 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9114B (TOJS-TLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP265J (v4t7tl, e | 0,8400 | | 4119 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP265 | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 50 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 1 Ma (Typ) | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 7ma | 20 µs | |||||||||||||||
 | TLP387 (D4-TPL, e | 0,8700 | | 7441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1V | |||||||||||||||
 | Tlp291 (gr, e) | - - - | | 7147 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 175 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP2105 (f) | - - - | | 224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2105 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2105f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
| TLP120 (GB, F) | - - - | | 5979 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP120 (GBF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP184 (GR-TPL, SE | 0,5100 | | 6509 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP109 (v4, e | 1.3100 | | 135 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 8ma | - - - | 20V | 1,64 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 800 ns, 800 ns (max) | - - - | |||||||||||||||
| TLP2168 (f) | - - - | | 7498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2168 | DC | 2 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 20mb | 30ns, 30ns | 1,57 v | 25ma | 2500 VRMs | 2/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
 | TLP759 (TP1, J, F) | - - - | | 6281 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP759 (TP1JF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 200 ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||
| TLP118 (TPR, E) | 0,6165 | | 2619 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP118 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP118 (TPRE) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | - - - | 30ns, 30ns | - - - | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||
 | TLP2261 (D4-LF4, e | 3.0200 | | 2462 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | TLP2261 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2261 (D4-LF4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 5000 VRMs | 2/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||
| TLP183 (bl-tpl, e | 0,5100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (la, e | 1.6000 | | 5468 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP2372 (tpl, e | 1.9300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2372 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,2 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 20 mbit / s | 2,2ns, 1,6 ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | TLP718 (f) | - - - | | 2742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP718 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 5a991 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,6 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP719F (D4-TP, F) | - - - | | 6909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Transistor | 6-sdip-möwenflügel | - - - | 264-TLP719F (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 800 ns, 800 ns (max) | - - - | |||||||||||||||||
| TLP266J (V4-TPL, e | 0,9300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tlp | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP266 | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 10 ma | 30 µs | ||||||||||||||||
| TLP372 (LF1, F) | - - - | | 9841 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP372 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP372 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3063SCF | - - - | | 9668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP3063 | BSI, Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (Schnitt), 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
| TLP2358 (TPR, E) | 1.0200 | | 2139 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2358 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | - - - | 15ns, 12ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP385 (e | 0,5500 | | 3352 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP131 (TPR, F) | - - - | | 6602 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP131 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-mfsop, 5 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP131 (TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP183 (GB-TPR, e | - - - | | 7572 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (GB-TPRE | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||
| Tlp669l (s, c, f) | - - - | | 4419 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 264-TLP669L (SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,2 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 600 ähm | Ja | 200 V/µs | 10 ma | 30 µs | |||||||||||||||||
 | TLP781 (f) | - - - | | 3773 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | TLP781f | 5a991g | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| 6n138f | - - - | | 4239 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 18V | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 300% @ 1,6 mA | - - - | 1 µs, 4 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | TLP3902 (TPR, U, F) | 1.0712 | | 9472 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP3902 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 5a991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5 ähm | - - - | 7v | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 600 µs, 2 ms | - - - | |||||||||||||||
| TLP121 (BL, F) | - - - | | 8069 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (BLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
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