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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgabe / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4FA1T1SJ, f - - -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4FA1T1SJF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP781(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL, F) - - -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP187(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (V4-TPL, e - - -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP187 DC 1 Darlington 6-Sop - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP187 (V4-TPLETRRETR Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP781F(D4GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GB-TP7, f - - -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4GB-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP734(D4GRTP5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp734 (d4grtp5, m, f - - -
RFQ
 ECAD 5336 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP734 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP734 (D4GRTP5MF Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP781F(D4YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4YH-TP7, f - - -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4YH-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2719(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (D4-TP, e 1.7200
RFQ
 ECAD 773 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2719 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 20V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 8 ma 1MB - - - 1,6 v 25ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 800 ns, 800 ns
TLP550(SANYD-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Sanyd-O, F) - - -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550 (Sanyd-of) Ear99 8541.49.8000 50
TLP715(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 20V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP715 (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 30ns, 30ns 1,6 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP550(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Nemic, f) - - -
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550 (Nemicf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (e 0,6100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP2301 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 50 ma - - - 40V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 1ma 600% @ 1ma - - - 300mV
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, e 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2362 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 ma 10 MB 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 100 ns, 100 ns
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp191b (u, c, f) - - -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 80 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP191 DC 1 Photovoltaik 6-mfsop, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 150 24 µA - - - 8v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 3 ms - - -
TLP120(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP120 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9185 (kmgbtl, f (o - - -
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLX9185 DC 1 Transistor 6-Sop - - - 264-TLX9185 (KMGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 3 µs, 5 µs 80V 1,27 v 30 ma 3750 VRMs 20% @ 5ma 600% @ 5ma 5 µs, 5 µs 400mV
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRF7TC, F. - - -
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4GRF7TCF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP785F(GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (grl-f7, f - - -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (GRL-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, e 0,9300
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP627 DC 1 Darlington 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 1000% @ 1ma - - - 110 µs, 30 µs 1,2 v
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBJ-IgM, J, F. - - -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (MBJ-Igmjf Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (LF6, F) - - -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP732(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (GB-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (TP6, F) - - -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (TP6F) TR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, E) - - -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP185 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM TLP185 (TPRE) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 5 µs, 9 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 400% @ 5ma 9 µs, 9 µs 300mV
TLP570(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 2392 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP570 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP570 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GR-LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (GR-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (IFT7, U, C, F. - - -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP161 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP161G (IFT7UCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP5702H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (D4, e 1.7100
RFQ
 ECAD 2347 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5702 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 - - - 37ns, 50 ns 1,65 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 50 kV/µs 200ns, 200ns
TLP120(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (f) - - -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, e 3.3700
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP3910 DC 2 Photovoltaik 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 - - - - - - 24 v 3.3 v 30 ma 5000 VRMs - - - - - - 300 µs, 100 µs - - -
TLP371(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (TP5, F) - - -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP371 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP371 (TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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