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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgabe / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
TLP127(HIT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Hit-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP127 DC 1 Darlington 6-mfsop, 4 Blei - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP127 (Hit-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 ma 2500 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP5705H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4-TP, e 1.9100
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) DC 1 Push-Pull, Totem Pole 15 V ~ 30 V 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 37ns, 50 ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/1 50 kV/µs 200ns, 200ns
TLP669L(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (D4, S, C, F) - - -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP - - - 264-TLP669L (D4SCF) Ear99 8541.49.8000 1 1,2 v 30 ma 5000 VRMs 800 V 100 ma 600 ähm Ja 500 V/µs (Typ) 10 ma 30 µs
TLP550(MBS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (MBS-O, F) - - -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550 (MBS-of) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250H(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP250 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 8-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP250H (D4-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 40 kV/µs 500 ns, 500 ns
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (TPR, F) - - -
RFQ
 ECAD 4049 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads TLP2066 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 3,6 V 6-mfsop, 5 Blei - - - 264-TLP2066 (TPRF) Ear99 8541.49.8000 1 10 ma 20 mbit / s 5ns, 4ns 1,6 v 25ma 3750 VRMs 1/0 15kV/µs 60ns, 60 ns
TLP719F(AD-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp719f (ad-tp, f) - - -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) DC 1 Transistor 6-sdip-möwenflügel - - - 264-TLP719F (AD-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - 800 ns, 800 ns (max) - - -
TLP732(GB-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF4, F) - - -
RFQ
 ECAD 3479 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (GB-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2955(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (D4, F) - - -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2955 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 20V 8-DIP Herunterladen 264-TLP2955 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 16ns, 14ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP3083F(D4,LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (D4, LF4F 1.7800
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel, 5 Hinweise TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 800 V 100 ma 600 ähm Ja 2kV/µs (Typ) 5ma - - -
TLP2955F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F (TP4, F) - - -
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2955 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 20V 8-smd Herunterladen 264-TLP2955F (TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 16ns, 14ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP532(NEMI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (Nemi, f) - - -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP532 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP532 (Nemif) Ear99 8541.49.8000 50
TLPN137(S) Toshiba Semiconductor and Storage Tlpn137 (s) - - -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLPN137 - - - 1 (unbegrenzt) 264-tlpn137 (s) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250HF(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4, F) - - -
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP250 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 8-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP250HF (D4F) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 5ma 3750 VRMs 1/0 40 kV/µs 500 ns, 500 ns
TLP127(DEL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Del-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP127 DC 1 Darlington 6-mfsop, 4 Blei - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP127 (Del-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 ma 2500 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP785F(D4YHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4YHT7, f - - -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (D4YHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP293-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (la-tp, e 1.6300
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP293 DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 500 ähm 600% @ 500 ähm 3 µs, 3 µs 300mV
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP, e 2.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5772 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 15 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 56ns, 25ns 1,55 v 8ma 5000 VRMs 1/0 35 kV/µs 150ns, 150ns
TLP732(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-LF4, F) - - -
RFQ
 ECAD 9979 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP5, e 0,9200
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP628 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 50 ma 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 10 µs, 10 µs 400mV
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LATPE 1.7900
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 500 ähm 600% @ 500 ähm 3 µs, 3 µs 300mV
TLP9114B(NIS-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (NIS-TL, F) - - -
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9114B (NIS-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP785F(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (Bll, f - - -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (Bllf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4-TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP716 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 5,5 V. 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP716 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 ma 15mb 15ns, 15ns 1,65 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP759(D4MBS-IGM,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MBS-IgM, f - - -
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4MBS-IGMF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP620-4(HITACHI,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (Hitachi, f - - -
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16-DIP Herunterladen 264-TLP620-4 (Hitachif Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(GRH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH-TP7, F) - - -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (GRH-TP7F) TR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-TP4, e - - -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2761 AC, DC 1 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP2761 (D4-TP4E Ear99 8541.49.8000 1.500 10 ma 15mb 3ns, 3ns 1,5 v 10 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 80ns, 80ns
TLP532(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP532 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP532 (BL-TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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