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Optoisolatoren (1738)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781F (D4-GR-FD, f | - - - |  | 6200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-GR-FDF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F (D4GRT7TC, F. | - - - | | 1622 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4grt7TCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| Tlp127 (fjdk-tl, u, f | - - - | | 8745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (FJDK-TLUF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||||
 | Tlx9304 (tpl, f | 3.6000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLX9304 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 20V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 15 Ma | - - - | - - - | 1,56 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 400 ns, 550 ns | ||||||||||||||||
| TLP532 (BL-TLF1, F) | - - - | | 4937 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP532 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP532 (BL-TLF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-GRL-TC, f | - - - | | 9803 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-GRL-TCF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP2095 (TPL, F) | - - - | | 8380 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP2095 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2095 (TPLF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2770 (D4-TP, e | 2.2400 | | 5019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2770 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 ma | 20mb | 1,3ns, 1ns | 1,5 v | 8ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||
| TLP190B (OMT-TLUC, f | - - - | | 1361 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP190 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | 264-TLP190B (OMT-TLUCF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - - - | 8v | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 200 µs, 1 ms | - - - | ||||||||||||||||
| TLP5702 (D4, e | - - - | | 7371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5702 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5702 (D4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | - - - | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
| Tlp127 (pse-tpl, u, f | - - - | | 1770 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (PSE-TPLUFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||||
 | TLP2404 (f) | - - - | | 4058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2404 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2404F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 Ma | 1 mbit / s | - - - | 1,57 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400 ns | ||||||||||||||
| TLP550 (TCCJ, F) | - - - | | 3899 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (TCCJF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP267J (TPR, e | 1.0100 | | 786 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP267 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | |||||||||||||||
| TLP785F (D4-yh, f | - - - | | 9200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4-YHF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP127 (Hit-TPL, F) | - - - | | 4179 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (Hit-TPLF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||||
| TLP5705H (D4-TP, e | 1.9100 | | 840 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/1 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
| TLP669L (D4, S, C, F) | - - - | | 3275 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP669 | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - - - | 264-TLP669L (D4SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,2 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 600 ähm | Ja | 500 V/µs (Typ) | 10 ma | 30 µs | ||||||||||||||||
| TLP550 (MBS-O, F) | - - - | | 3089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (MBS-of) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250H (D4-LF5, F) | - - - | | 8951 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP250 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250H (D4-LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 a | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 40 kV/µs | 500 ns, 500 ns | |||||||||||||||
| TLP2066 (TPR, F) | - - - | | 4049 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP2066 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 3,6 V | 6-mfsop, 5 Blei | - - - | 264-TLP2066 (TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 ma | 20 mbit / s | 5ns, 4ns | 1,6 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||||
| Tlp719f (ad-tp, f) | - - - | | 4645 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Transistor | 6-sdip-möwenflügel | - - - | 264-TLP719F (AD-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 800 ns, 800 ns (max) | - - - | |||||||||||||||||
| TLP732 (GB-LF4, F) | - - - | | 3479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP732 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP732 (GB-LF4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955 (D4, F) | - - - | | 2734 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2955 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP2955 (D4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 16ns, 14ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP3083F (D4, LF4F | 1.7800 | | 4869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel, 5 Hinweise | TLP3083 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 600 ähm | Ja | 2kV/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
| TLP2955F (TP4, F) | - - - | | 1035 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP2955 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP2955F (TP4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 16ns, 14ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP532 (Nemi, f) | - - - | | 7466 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP532 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP532 (Nemif) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlpn137 (s) | - - - | | 7193 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLPN137 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-tlpn137 (s) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP250HF (D4, F) | - - - | | 5407 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP250 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250HF (D4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 a | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 5ma | 3750 VRMs | 1/0 | 40 kV/µs | 500 ns, 500 ns | |||||||||||||||
| TLP127 (Del-TPL, F) | - - - | | 3952 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (Del-TPLF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v |
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