SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (y, f) 0,6400
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GRL, F) - - -
RFQ
ECAD 7229 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP190B(ADVTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp190b (advtpluc, f - - -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel DC 1 Photovoltaik 6-mfsop, 4 Blei Herunterladen 264-TLP190b (AdvtPlucf Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - 8v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 1 ms - - -
TLP9114B(NIEC-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (NIEC-TL, F. - - -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9114B (NIEC-TLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP590B(OMT-LF1C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B (OMT-LF1C, F. - - -
RFQ
ECAD 6279 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel, 5 Hinweise TLP590 DC 1 Photovoltaik 6-DIP-Möwenflügel Herunterladen 264-TLP590B (OMT-LF1CF Ear99 8541.49.8000 1 12 µA - - - 7v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 1 ms - - -
TLP160J(V4DMT7TR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (v4dmt7tr, f - - -
RFQ
ECAD 8342 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP160 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP160J (V4DMT7TRFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP2768(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (D4-TP, F) - - -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) DC 1 Open Collector, Schottky Klemmte 2,7 V ~ 5,5 V. 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP2768 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 20mb 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP714F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4-TP, F) - - -
RFQ
ECAD 2411 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP714 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP714F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP2958(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-TP1, F) - - -
RFQ
ECAD 1964 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 20V 8-smd Herunterladen 264-TLP2958 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 15ns, 10ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP2766F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (D4MBSTP, f - - -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP2766 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP2766F (D4MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 10 ma 20mb 15ns, 15ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 55ns, 55ns
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MB-F2, J, F. - - -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4MB-F2JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp628m (gb, e 0,9100
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP628 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 10 µs, 10 µs 400mV
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF1, F) - - -
RFQ
ECAD 5424 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 264-TLP626 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 8 µs, 8 µs 55 v 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL-LF1, F) - - -
RFQ
ECAD 2671 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (BL-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (D4SOY-TP, f - - -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP719 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-sdip - - - 264-TLP719F (D4SOY-TPF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (TP1, F) - - -
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP570 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP570 (TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyog2tlf - - -
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9104A (Toyog2tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121a (Toyogtl, f - - -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9121A (Toyogtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP620-2(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (GB-TP1, F) - - -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen 264-TLP620-2 (GB-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (MBS, F) - - -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 DC 2 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP2531 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 15 v 1,65 v 25 ma 2500 VRMs 19% @ 16ma 30% @ 16 ma 200 ns, 300 ns - - -
TLP126(ASAD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (ASAD-TPL, F) - - -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP126 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP126 (ASAD-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP2372(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (TPR, e 1.9300
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2372 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,2 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 20 mbit / s 2,2ns, 1,6 ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
TLP759F(D4MBIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4MBIMT4JF - - -
RFQ
ECAD 5358 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759F (D4MBIMT4JF Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP120(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (HO-GB, F) - - -
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP120 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP120 (HO-GBF) Ear99 8541.49.8000 150
TLP332(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332 (BV-LF2, F) - - -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP332 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP332 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BLF2, f - - -
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-BLF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Grh, f - - -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (Grhf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF4, F) - - -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (GR-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF2, F) - - -
RFQ
ECAD 7625 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (D4-O-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-GRL,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-GRL, M, F) - - -
RFQ
ECAD 6919 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP733 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP733 (D4-GRLMF) Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus