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Optoisolatoren (1738)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP184 (GR-TPR, SE | 0,5000 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP3043 (s, c, f) | - - - | | 3306 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP3043 | BSI, Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (Schnitt), 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 400 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | TLP160J (U, C, F) | - - - | | 7927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP160J | Ur | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 600 V | 70 Ma | 1 Ma (Typ) | NEIN | 500 V/µs | 10 ma | 30 µs | |||||||||||||||
 | TLP291 (TP, E) | - - - | | 1575 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | Tlp358 (f) | - - - | | 7437 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Lets Kaufen | - - - | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP358 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | - - - | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 6 a | - - - | - - - | - - - | 20 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | TLP127 (Canod-TPL, f | - - - | | 6177 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (Canod-TPLFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||||
 | TLP732 (D4-GR-LF2, f | - - - | | 8903 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP732 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 4000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP2405 (TP, F) | - - - | | 1280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2405 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,57 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP3042 (TP1, S, C, F) | - - - | | 8806 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP3042 | BSI, Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (Schnitt), 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP3042 (TP1SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 400 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
 | TLP280-4 (GB, J, F) | - - - | | 6528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | TLP280 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-so-sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP124 (TPL-PP, F) | - - - | | 5763 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP124 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP124 (TPL-PPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 3750 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP751 (D4-LF2, F) | - - - | | 5451 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP751 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP751 (D4-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 10% @ 16 ma | - - - | 200ns, 1µs | - - - | ||||||||||||||
 | TLP2761F (D4-TP, F) | - - - | | 3354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2761 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2761F (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||
 | TLP385 (D4gl-tr, e | 0,5600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP2367 (TPR, e | 2.5600 | | 21 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2367 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 ma | 50 MB | 2ns, 1ns | 1,6 v | 15 Ma | 3750 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||
| TLP109 (tpl, e | 1.3000 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,64 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 800 ns, 800 ns (max) | - - - | |||||||||||||||
 | TLP126 (f) | - - - | | 6421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP126 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP385 (D4BL-TL, e | 0,5600 | | 8553 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| Tlp121 (grl, f) | - - - | | 7071 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (GRLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP525G-2 (f) | - - - | | 9990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP525 | Ur | 2 | Triac | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 400 V | 80 Ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 200 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
 | TLP781 (GRL-LF6, F) | - - - | | 3582 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (GRL-LF6F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F (BL-LF7, F) | - - - | | 6707 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (BL-LF7F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP281-4 (TP, J, F) | - - - | | 4954 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | TLP281 | DC | 4 | Transistor | 16-so-sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 5a991g | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| Tlp9148j (snd-tl, f) | - - - | | 6189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9148J (SND-TLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp161g (t5tl, u, c, f | - - - | | 4414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161G | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161G (T5tlucftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (v4-tr, e | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP183 (Grh, e | 0,5000 | | 9795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (Grhe | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP268J (TPR, e | 1.0200 | | 8991 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP268 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | Ja | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (V4-LA, e | 1.6300 | | 9037 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP2160 (f) | - - - | | 3836 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2160 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2160F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 20mb | 15ns, 15ns | 1,55 v | 25ma | 2500 VRMs | 2/0 | 20 kV/µs | 40ns, 40ns |
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