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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
TLP385(D4-Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-y, e 0,5400
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP385 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP385 (D4-ye Ear99 8541.49.8000 125 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IgM-TPL, e 1.2600
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP109 DC 1 Transistor 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8ma - - - 20V 1,64 v 20 ma 3750 VRMs 25% @ 10ma 75% @ 10 mA 450ns, 450ns - - -
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP260JTPRPF Toshiba Semiconductor and Storage TLP260JTPRPF - - -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP260 Ur 1 Triac 4-Sop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 1,15 V 50 ma 3000 VRMs 600 V 70 Ma 1 Ma (Typ) NEIN 500 V/µs (Typ) 10 ma 30 µs
TLP292-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GBTPR, e 1.7900
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp759f (isimt4, j, f - - -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-tlp759f (isimt4jf Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3924 (TP15, F) 4.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen TLP3924 DC 1 Photovoltaik 4-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 4 µA - - - 30V 1,3 v 30 ma 1500 VRMs - - - - - - - - - - - -
TLP9118(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9118 (fd-tl, f) - - -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9118 (FD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP385(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GB, e 0,5500
RFQ
 ECAD 4799 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP385 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP385 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP121(Y-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp121 (y-tpl, f) - - -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP121 DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP121 (Y-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP265J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (TPR, e 0,8000
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP265 cur, ur 1 Triac 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 1,27 v 30 ma 3750 VRMs 600 V 70 Ma 1 Ma (Typ) NEIN 500 V/µs (Typ) 10 ma 100 µs (max)
TLP383(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4, e - - -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP383 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP383 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP2768A(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (e 1.3600
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2768 DC 1 Open Collector, Schottky Klemmte 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 25 ma 20mb 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP372(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp372 (f) - - -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP372 DC 1 Darlington 6-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Tlp372f Ear99 8541.49.8000 50 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP293-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTPE 1.6300
RFQ
 ECAD 3551 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP293 DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP531(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (grl, f) - - -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, E) - - -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP185 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 5 µs, 9 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 9 µs, 9 µs 300mV
TLP2735(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (e 1.8300
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2735 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 9v ~ 15V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP2735 (e Ear99 8541.49.8000 125 20 ma 10 mbit / s -, 4ns 1,61V 15 Ma 5000 VRMs 1/0 25kV/µs 100 ns, 100 ns
TLP781(D4-GRL-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL-FD, f - - -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4-Grl-FDF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP759(D4IM-F5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F5, J, F. - - -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4IM-F5JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP2261(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261 (TP4, e 1.2038
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) TLP2261 DC 2 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM TLP2261 (TP4E Ear99 8541.49.8000 1.500 10 ma 15mb 3ns, 3ns 1,5 v 10 ma 5000 VRMs 2/0 20 kV/µs 80ns, 80ns
TLP2312(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (TPR, e 1.7100
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2312 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,2 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 5 mbit / s 2,2ns, 1,6 ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP748J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (TP1, F) 1.8600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel TLP748 BSI, Semko, ur 1 Scr 6-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 1,15 V 50 ma 4000 VRMs 600 V 150 Ma 1ma NEIN 5 V/µs 10 ma 15 µs
TLP785F(GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-LF7, f - - -
RFQ
 ECAD 8031 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (GB-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP632(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp632 (grl, f) - - -
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP632 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP632 (GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (tpl, e 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2355 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 20V 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 ma - - - 15ns, 12ns 1,55 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (f) - - -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Lets Kaufen -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads TLP105 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 20V 6-mfsop, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 5a991 8541.49.8000 150 25 ma 5 mbit / s 30ns, 30ns 1,57 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP2962(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962 (f) 1.2700
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2962 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 8-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP2962f Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 15mb 3ns, 12ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
TLP731(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB, F) - - -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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