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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP5772H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (LF4, e 2.6700
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5772 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 15 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 - - - 56ns, 25ns 1,55 v 8ma 5000 VRMs 1/0 35 kV/µs 150ns, 150ns
TLP570(HITM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (HITM, F) - - -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP570 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP570 (HITMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250H(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP5, F) - - -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP250 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 8-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP250H (D4-TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500 2 a - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 40 kV/µs 500 ns, 500 ns
TLP532(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (MBS, F) - - -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP532 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP532 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-FUNGB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Fungb, f - - -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-FungBF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP627M(E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (E (OX4 - - -
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP627 DC 1 Darlington 4-DIP - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP627M (E (OX4 Ear99 8541.49.8000 25 150 Ma 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 1000% @ 1ma - - - 110 µs, 30 µs 1,2 v
TLX9300(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9300 (tpl, f 3.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLX9300 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma - - - 40V 1,25 V. 30 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 900% @ 5ma 15 µs, 50 µs 400mV
TLP9121A(BYDGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9121a (bydgbtl, f - - -
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-tlp9121a (Bydgbtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 - - -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP108(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (DPW-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 20V 6-mfsop, 5 Blei Herunterladen 264-TLP108 (DPW-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 30ns, 30ns 1,57 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4gr-F6, f - - -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (D4GR-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP731(D4-GR-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GR-TP1, f - - -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-GR-TP1F Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP552(MAT-TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (MAT-TA, F) - - -
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP552 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP552 (MAT-TAF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP550-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-TP5, J, F. - - -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-smd Herunterladen 264-TLP759 (IGM-TP5JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 25% @ 10ma 75% @ 10 mA - - - - - -
TLP759F(D4-TP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-TP4, J, F. - - -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-smd Herunterladen 264-TLP759F (D4-TP4JF Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP624 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP624-2 (TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP759(D4-MBS3,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS3, J, F. - - -
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4-MBS3JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP750(D4MAT-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4MAT-LF2, f - - -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (D4MAT-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP2719(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (D4-LF4, e 1.7200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung TLP2719 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 20V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP2719 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 1MB - - - 1,6 v 25ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 800 ns, 800 ns
TLP2958(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2958 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 3v ~ 20V 8-smd Herunterladen 264-TLP2958 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5 mbit / s 15ns, 10ns 1,55 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP731(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB, F) - - -
RFQ
 ECAD 2744 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2531(TOSYK1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk1, F) - - -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 2 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP2531 (Tosyk1f) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 15 v 1,65 v 25 ma 2500 VRMs 19% @ 16ma - - - - - - - - -
TLP714(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714 (TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) DC 1 Open Collector, Schottky Klemmte 4,5 V ~ 30 V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP714 (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP2270(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (TP4, e 2.1900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) TLP2270 DC 2 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 ma 20mb 1,3ns, 1ns 1,5 v 8ma 5000 VRMs 2/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP781(Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (y-tp6, f) - - -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-tlp781 (y-tp6f) tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH-LF7, F) - - -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (GRH-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP3910(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (D4, e 3.3300
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP3910 DC 2 Photovoltaik 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 - - - - - - 24 v 3.3 v 30 ma 5000 VRMs - - - - - - 300 µs, 100 µs - - -
TLP182(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (bl-tpl, e 0,5600
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP754F(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (LF4, F) - - -
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 8-smd Herunterladen 264-TLP754F (LF4, F) Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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