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Optoisolatoren (1738)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | Grad | Qualifikation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP731 (GB-LF1, F) | - - - |  | 7795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP731 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP731 (GB-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
| Tlp759 (d4hitim, j, f | - - - | | 2380 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759 (d4hitimjf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||
 | TLP385 (D4blltl, e | 0,5500 | | 7135 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||
 | TLP2368 (TPR, e | 0,6028 | | 2105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2368 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2368 (TPRE | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 20mb | 30ns, 30ns | 1,55 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||
| TLP627M (D4-LF5, e | 0,9300 | | 3056 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 110 µs, 30 µs | 1,2 v | ||||||||||
 | TLP2403 (f) | - - - | | 3046 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2403 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2403F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 60 mA | - - - | 18V | 1,45 v | 20 ma | 3750 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 300 ns, 1 µs | - - - | ||||||||
 | TLP183 (grl-tpl, e | 0,5100 | | 6712 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||
 | TLP2770 (D4, e | 2.2400 | | 9458 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2770 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 ma | 20mb | 1,3ns, 1ns | 1,5 v | 8ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||
| 4N35 (Short-TP1, F) | - - - | | 9664 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 4n35 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-4N35 (Short-Tp1f) tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP2530 (LF1, F) | - - - | | 2723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP2530 | DC | 2 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP2530 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 7% @ 16 ma | 30% @ 16 ma | 300 ns, 500 ns | - - - | ||||||||||
 | Tlx9905 (tpl, f | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9905 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - - - | - - - | 7v | 1,65 v | 30 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | 300 µs, 1 ms | - - - | Automobil | AEC-Q101 | ||||||||
| TLP137 (BV, F) | - - - | | 4856 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP137 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-mfsop, 5 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP137 (BVF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | ||||||||
| Tlp161j (v4-u, c, f) | - - - | | 3578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (V4-UCF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLX9185 (KBDGBTLF (o | - - - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | 264-TLX9185 (KBDGBTLF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 20% @ 5ma | 600% @ 5ma | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||
| TLP185 (TPR, SE | 0,1530 | | 1778 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||
| TLP781 (D4-GRH, F) | - - - | | 5401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-GRHF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||
| TLP620-2 (Yask, F) | - - - | | 8282 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-2 (Yaskf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||
| TLP127 (Tokud-TPL, f | - - - | | 2831 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (Tokud-TPLFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||
| TLP385 (GR-TPL, e | 0,5600 | | 1320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||
| TLP161J (IFT5, U, C, F. | - - - | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (IFT5UCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP631 (TP1, F) | - - - | | 9923 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP631 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP631 (TP1F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4grH-TP5, f | - - - | | 9844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP732 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP732 (D4grH-TP5F | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLX9185 (TOJ2GBTF (o | - - - | | 3905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 20% @ 5ma | 600% @ 5ma | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||
| TLP781F (D4-Y, F) | - - - | | 4224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||
| TLP2309 (e) | 1.2600 | | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 8ma | - - - | 20V | 1,55 v | 25 ma | 3750 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | 1 µs, 1 µs (max) | - - - | |||||||||
| Tlp190b (costpluc, f | - - - | | 3149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP190 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | 264-TLP190B (Costplucf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - - - | 8v | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 200 µs, 1 ms | - - - | ||||||||||
| TLP160J (V4OM5TRUCF | - - - | | 5428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160J (V4OM5TRUCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (la-tr, e | 1.6300 | | 7543 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||
| TLP5705H (D4TP4, e | 1.9900 | | 8441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||
| TLP385 (D4GB-TR, e | 0,5600 | | 8208 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV |
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