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Optoisolatoren (1738)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgabe / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B (c, f) 3.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads TLP591 DC 1 Photovoltaik 6-DIP, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 50 24 µA - - - 7v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 3 ms - - -
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP631 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP631 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5772(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 (D4, e 2.4500
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5772 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP5772 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 - - - 15ns, 8ns 1,65 v 8ma 5000 VRMs 1/0 35 kV/µs 150ns, 150ns
TLP2366(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (v4, e 1.5100
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2366 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 10 ma 20mb 15ns, 15ns 1,61V 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 40ns, 40ns
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, e 1.0500
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. - - - - - - TLP2362 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 ma 10 MB 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 100 ns, 100 ns
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4LGBTPE 1.6300
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP293 DC 4 Transistor 16 Also Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 500 ähm 600% @ 500 ähm 3 µs, 3 µs 300mV
TLP360JF(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360JF (D4-Cano) - - -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 4-DIP Herunterladen 264-TLP360JF (D4-Cano) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 600 V 100 ma 1ma NEIN 500 V/µs (Typ) 10 ma 30 µs
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (TPR, F) - - -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads TLP117 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 5,5 V. 6-mfsop, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 5a991 8541.49.8000 3.000 10 ma 50 MB 3ns, 3ns 1,6 v 25ma 3750 VRMs 1/0 10kV/µs 20ns, 20ns
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4-TPL, e 1.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP104 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 1 mbit / s - - - 1,61V 25ma 3750 VRMs 1/0 15kV/µs 550ns, 400 ns
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF - - -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP126 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 Ur 1 Triac 4-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP525G (f) Ear99 8541.49.8000 100 1,15 V 50 ma 2500 VRMs 400 V 100 ma 200 µA (Typ) NEIN 200 V/µs 10 ma - - -
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV, F) - - -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads TLP137 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-mfsop, 5 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP137 (BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 200% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP124 DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP124 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP5705H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (LF4, e 1.9900
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) DC 1 Push-Pull, Totem Pole 15 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 - - - 37ns, 50 ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 50 kV/µs 200ns, 200ns
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4COS-TP5, f - - -
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP750 (D4COS-TP5F Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 15 v 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 10% @ 16 ma - - - 200ns, 1µs - - -
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (LF4, e 3.0900
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 75 10 ma 20mb 1,3ns, 1ns 1,5 v 8ma 5000 VRMs 2/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-GB, M, F) - - -
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP733 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP733 (D4-GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4-TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) DC 1 Transistor 6-sdip-möwenflügel - - - 264-TLP719 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - 800 ns, 800 ns (max) - - -
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp190b (tpl, u, c, f) - - -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP190 DC 1 Photovoltaik 6-mfsop, 4 Blei Herunterladen 264-TLP190B (TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 12 µA - - - 8v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 1 ms - - -
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4, e 0,9000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP627 DC 1 Darlington 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP627MF (D4E Ear99 8541.49.8000 100 150 Ma 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 1000% @ 1ma - - - 110 µs, 30 µs 1,2 v
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (TP1, F) 1.8800
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2662 DC 2 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 8-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 25 ma 10 MB 12ns, 3ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 2/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, e 1.7700
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2370 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 ma 20 mbit / s 3ns, 2ns 1,5 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP550 -TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -tp1, f) - - -
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550-TP1F) tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP331 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP331 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (D4dltgrl, f - - -
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (LF1, F) - - -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP512 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP512 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-LF7, f - - -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-Y-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL-LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (BL-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (gr, f) - - -
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (grl-t7, f - - -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (grl-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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