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Optoisolatoren (1738)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgabe / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tlx9160t (tpl, f | 7.4200 |  | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Mosfet | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | - - - | - - - | 1,65 v | 30 ma | 5000 VRMs | - - - | - - - | 1 ms, 1 ms (max) | - - - | |||||||||
 | TLP183 (e | 0,5100 | | 103 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | TLP781 (D4grH-TP6, f | - - - | | 5325 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4grH-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||
 | Tlp127 (ito-tpr, u, f | - - - | | 3744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (ito-tpruftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||
 | TLP291 (Bll-tp, SE | 0,6100 | | 6152 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | TLP2403 (f) | - - - | | 3046 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2403 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2403F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 60 mA | - - - | 18V | 1,45 v | 20 ma | 3750 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 300 ns, 1 µs | - - - | ||||||
 | TLP2309 (e) | 1.2600 | | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 8ma | - - - | 20V | 1,55 v | 25 ma | 3750 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | 1 µs, 1 µs (max) | - - - | |||||||
| TLP183 (tpl, e | 0,5100 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
| Tlp161j (v4-u, c, f) | - - - | | 3578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (V4-UCF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP551 (y-lf1, f) | - - - | | 4205 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP551 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | - - - | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP551 (Y-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 10% @ 16 ma | - - - | 300 ns, 1 µs | - - - | ||||||
 | TLP293-4 (v4, e | 1.6000 | | 5859 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | TLP293-4 (LGBTR, e | 1.6300 | | 8340 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | TLP385 (D4bl-tr, e | 0,5600 | | 2213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | TLP620-4 (GB, F) | - - - | | 8762 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||
| TLP183 (GB, e | 0,5000 | | 1400 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (GBE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||
 | TLP3902 (TPL, U, F) | 1.0712 | | 2518 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP3902 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP3902 (TPLUF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5 ähm | - - - | 7v | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 600 µs, 2 ms | - - - | |||||||
| Tlp182 (y-tpl, e | 0,5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
 | Tlp331 (f) | - - - | | 6386 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP331 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | |||||||
| TLP785F (D4B-F7, f | - - - | | 8709 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4B-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||
| TLP121 (TA-TPR, F) | - - - | | 4831 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (TA-TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||
| TLP734 (D4-C172, F) | - - - | | 4589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP734 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP734 (D4-C172F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 4000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||
 | Tlp651 (o, f) | - - - | | 4853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP651 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP651 (Von) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | - - - | 300 ns, 500 ns | - - - | ||||||
 | TLP2735 (D4, e | 1.8300 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2735 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 9v ~ 15V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 20 ma | 10 mbit / s | -, 4ns | 1,61V | 15 Ma | 5000 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||
| TLP733 (D4-C172, F) | - - - | | 3338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP733 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP733 (D4-C172F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 4000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||
| TLP781F (D4-Grl, F, W. | - - - | | 7417 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-Grlfw | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||
| TLP185 (TPR, SE | 0,1530 | | 1778 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
| TLP2761F (TP, F) | - - - | | 5383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2761 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2761F (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||
| TLP734F (D4grlf4, MF | - - - | | 8383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP734 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP734F (D4GRLF4MF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP2766F (TP, F) | - - - | | 2401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP2766 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP2766F (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 ma | 20mb | 15ns, 15ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 55ns, 55ns | ||||||||
| TLP250H (D4-TP1, F) | 1.7900 | | 7192 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP250 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 a | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 40 kV/µs | 500 ns, 500 ns |
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