SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
4N36S onsemi 4n36s - - -
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel 4n36 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N36S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 100 ma 5300 VRMs 100% @ 10ma - - - 2 µs, 2 µs 300mV
FODB101 onsemi FODB101 - - -
RFQ
ECAD 3062 0.00000000 Onsemi Miccoubler ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 4-Tebga FODB10 DC 1 Transistor 4-bga (3,5x3,5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 1 µs, 5 µs 75 V 1,5 V (max) 30 ma 2500 VRMs 100% @ 1ma - - - 3 µs, 5 µs 400mV
H11C4300W onsemi H11c4300w - - -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) H11c UR, VDE 1 Scr 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11C4300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 5300 VRMs 400 V 300 ma - - - NEIN 500 V/µs 20 ma - - -
6N138SDV onsemi 6N138SDV - - -
RFQ
ECAD 6896 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel 6N138 DC 1 Darlington MIT Basis 8-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 60 mA - - - 7v 1,3 v 20 ma 2500 VRMs 300% @ 1,6 mA - - - 1,5 µs, 7 µs - - -
FODM452 onsemi FODM452 2.8300
RFQ
ECAD 936 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads FODM45 DC 1 Transistor 5-mini-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 8ma - - - 20V 1,6 v 25 ma 3750 VRMs 20% @ 16 ma 50% @ 16 ma 400 ns, 350 ns - - -
MOC213R2VM onsemi MOC213R2VM - - -
RFQ
ECAD 3516 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOC213 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRMs 100% @ 10ma - - - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MOCD213R1M onsemi MOCD213R1M - - -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOCD21 DC 2 Transistor 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOCD213R1M-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma 1,6 µs, 2,2 µs 70V 1,25 V. 60 mA 2500 VRMs 100% @ 10ma - - - 3 µs, 2,8 µs 400mV
FODM121ER2 onsemi FODM121ER2 - - -
RFQ
ECAD 4927 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM12 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
HMA2701R4 onsemi HMA2701R4 - - -
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA270 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
CNY17F1SD onsemi CNY17F1SD - - -
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY17 DC 1 Transistor 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY17F1SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 300mV
CNY17F3300W onsemi CNY17F3300W - - -
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY17F3300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 µs, 3 µs 300mV
H11A5FM onsemi H11a5fm - - -
RFQ
ECAD 3440 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 7500vpk 30% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
H11B2SD onsemi H11B2SD - - -
RFQ
ECAD 2666 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11b DC 1 Darlington MIT Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11B2SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 25 v 1,2 v 100 ma 5300 VRMs 200% @ 1ma - - - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3163SM onsemi MOC3163SM 1.9300
RFQ
ECAD 988 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MOC316 Ul 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3163SM-NDR Ear99 8541.49.8000 50 1,3 v 60 mA 4170 VRMs 600 V 500 µA (Typ) Ja 1kV/µs 5ma - - -
4N32W onsemi 4N32W - - -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n32 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N32W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 30V 1,2 v 80 Ma 5300 VRMs 500% @ 10 mA - - - 5 µs, 100 µs (max) 1V
FODM3011R1 onsemi FODM3011R1 - - -
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 250 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
FOD063L onsemi FOD063L - - -
RFQ
ECAD 7478 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FOD063 DC 2 Open Collector, Schottky Klemmte 2,7 V ~ 3,3 V. 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 10 mbit / s - - - 1,75 V (max) 50 ma 3750 VRMs 2/0 25kV/µs 90ns, 75ns
MOC8112W onsemi MOC8112W - - -
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) Moc811 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC8112W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - 3 µs, 14 µs 70V 1,15 V 90 Ma 5300 VRMs 50% @ 10 mA - - - 4,2 µs, 23 µs 400mV
HCPL2530SDM onsemi HCPL2530SDM 1.1179
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel HCPL2530 DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 8ma - - - 20V 1,45 v 25 ma 2500 VRMs 7% @ 16 ma 50% @ 16 ma 450ns, 300 ns - - -
HMAA2705R2V onsemi HMAA2705R2V - - -
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
FOD2742CR1 onsemi FOD2742CR1 - - -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FOD274 DC 1 Transistor 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 70V 1,2 v 2500 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma - - - 400mV
FODM3022R3V onsemi FODM3022R3V - - -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
H11A617B3SD onsemi H11A617B3SD - - -
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,35 v 50 ma 5300 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA - - - 400mV
FOD2711A onsemi FOD2711a 0,6233
RFQ
ECAD 6994 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD2711 DC 1 Transistor 8-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 30V 1,5 V (max) 5000 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma - - - 400mV
H11AA23S onsemi H11AA23S - - -
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11AA23S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,2 v 100 ma 5300 VRMs 10% @ 10 mA - - - - - - 400mV
CNY171FVM onsemi CNY171FVM - - -
RFQ
ECAD 3514 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY171 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY171FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 400mV
HMA2701BV onsemi HMA2701BV - - -
RFQ
ECAD 7274 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA270 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 80% @ 5ma 160% @ 5ma - - - 300mV
FODM3022V onsemi FODM3022V - - -
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
H11L2FR2VM onsemi H11L2FR2VM - - -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11l DC 1 Offener Sammler 3v ~ 15 V 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11L2FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1MHz 100 ns, 100 ns 1,2 v 30 ma 4170 VRMs 1/0 - - - 4 µs, 4 µs
MCT22013SD onsemi MCT22013SD - - -
RFQ
ECAD 9558 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel MCT2 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MCT22013SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 30V 1,25 V. 100 ma 5300 VRMs 100% @ 10ma - - - 2 µs, 2 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus