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Optoisolatoren (3111)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4n28fr2m | - - - |  | 4859 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n28fr2m-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mV | |||||||||||||||
 | FOD2712R1 | - - - | | 8175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
| H11A3SR2M | - - - | | 7028 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4n39 | - - - | | 1091 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n39 | Ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs | 30 ma | 50 µs (max) | ||||||||||||||||
| H11D4SD | - - - | | 9613 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11D4SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 200V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||
| MCT2SVM | - - - | | 6541 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2SVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 1,5 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD817BW | - - - | | 9666 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
| HCPL0701R1 | - - - | | 2741 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL07 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,25 V. | 20 ma | 2500 VRMs | 500% @ 1,6 mA | 2600% @ 1,6 mA | 300 ns, 1,6 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | FODM3082R1 | - - - | | 4708 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | Cul, ul | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 3750 VRMs | 800 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | HCPL2631SV | - - - | | 4780 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2631 | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | H11AA3TM | - - - | | 8416 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11AA814300 | - - - | | 4989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA814300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
| 4n37 | - - - | | 3154 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| CNX35U300 | - - - | | 4996 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNX35 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNX35U300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 160% @ 10 mA | 20 µs, 20 µs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC81023SDL | - - - | | 7098 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| 4N37300 | - - - | | 3961 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N37300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | |||||||||||||||
| MOC206VM | - - - | | 3279 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Moc206 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11l2fm | - - - | | 1429 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11l | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11l2fm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | |||||||||||||||
 | 6N137W | - - - | | 4250 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 6N137 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 6N137W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | H11n1fm | - - - | | 9878 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| 4n36 | - - - | | 2155 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n36 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| HCPL2630SV | 2.7900 | | 494 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2630 | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | FODM8801BR2 | 1.7400 | | 11 | 0.00000000 | Onsemi | OptoHit ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM8801 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 30 ma | 5 µs, 5,5 µs | 75 V | 1,35 V. | 20 ma | 3750 VRMs | 130% @ 1ma | 260% @ 1ma | 6 µs, 6 µs | 400mV | |||||||||||||||
| FOD2741CSV | - - - | | 3500 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
| H11AA3TVM | - - - | | 1444 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| H11AA4SDM | - - - | | 4611 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11AA | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| HCPL0452V | - - - | | 7309 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL04 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||||||||||
| MOC211R2VM | 0,2439 | | 6237 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC211 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11AV1AVM | 0,9800 | | 901 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11AV | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 300% @ 10ma | 15 µs, 15 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||
 | HMAA2705V | - - - | | 3776 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMAA27 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV |
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