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Optoisolatoren (3111)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC211VM | 0,7600 |  | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC211 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC8080300W | - - - | | 4667 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC808 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8080300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 25 µs | 1V | |||||||||||||||
 | H11AA1S | - - - | | 2762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA1S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| CNY171TM | - - - | | 2640 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | CNY171 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY171TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM1008 | 0,6300 | | 908 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM10 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 5,7 µs, 8,5 µs | 70V | 1,4 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
 | 4n32 | - - - | | 5401 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n32 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||
 | FOD420SD | 4.7800 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD420 | Cul, Fimko, ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 600 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 2ma | 60 µs | ||||||||||||||||
 | H11G3300 | - - - | | 2279 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11G3300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | 5 µs, 100 µs | 1,2 v | |||||||||||||||
 | CNY17F1SR2M | 0,7500 | | 4134 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17F1 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11c4w | - - - | | 3728 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11c | Ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11c4w-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 20 ma | - - - | |||||||||||||||
 | FODM452R1 | - - - | | 5902 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | FODM45 | DC | 1 | Transistor | 5-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,6 v | 25 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 400 ns, 350 ns | - - - | ||||||||||||||||
 | Fod817as | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FOD817AS-OS | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
| H11c6sd | - - - | | 8873 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11c | Ur | 1 | Scr | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11c6sd-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 30 ma | - - - | |||||||||||||||
| MOC3021FR2VM | - - - | | 9949 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3021FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
| MOC3052SR2VM | 1.1300 | | 28 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc305 | UR, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
| HCPL0601R2V | 3.4200 | | 21 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL0601 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| MCT5201 | - - - | | 9222 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 2,5 µs, 16 µs | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 120% @ 5ma | - - - | 3 µs, 12 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC8103300W | - - - | | 3058 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8103300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 108% @ 10 mA | 173% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| Fodm121f | - - - | | 1832 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| Moc119 | - - - | | 5310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc119 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 300% @ 10ma | - - - | 3,5 µs, 95 µs | 1V | ||||||||||||||||
 | HMA121f | - - - | | 2582 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC8204300 | - - - | | 5724 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC820 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2ma | - - - | 400V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC8108300W | - - - | | 3801 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8108300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 250% @ 10 mA | 600% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD817B3SD | 0,5300 | | 220 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
| H11N2W | - - - | | 5375 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5MHz | - - - | 1,4 v | 5ma | 7500 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||
| 4n40 | - - - | | 4430 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n40 | Ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs | 14ma | 50 µs (max) | ||||||||||||||||
| CNY174M | 0,6200 | | 1005 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | CNY174MFS | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| MCT5211W | - - - | | 7827 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT5211W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 150% @ 1,6 mA | - - - | 14 µs, 2,5 µs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC3041SR2M | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc304 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
| MOC8102300 | - - - | | 8834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8102300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 30V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 73% @ 10ma | 117% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV |
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