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Optoisolatoren (3111)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11A617C3S | - - - |  | 1178 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11D4W | - - - | | 9092 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11D4W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 200V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM121FR1 | - - - | | 1788 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | SL5500SD | - - - | | 2847 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SL5500 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SL5500SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 300% @ 10ma | 20 µs, 50 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD814300W | 0,7400 | | 959 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FOD814300W | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
 | MOC3023 | - - - | | 9451 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc302 | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5300 VRMs | 400 V | 100 µA | NEIN | 5ma | ||||||||||||||||||||||
| MOC3021FR2VM | - - - | | 9949 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3021FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
 | HCPL2531M | 2.4200 | | 6649 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | |||||||||||||||
| CNY17F3 | - - - | | 6164 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY17F3FS | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | FOD260LT | - - - | | 6068 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | FOD260 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 3 V ~ 5,5 V. | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 22ns, 3ns | 1,4 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 90ns, 75ns | ||||||||||||||||
| MOC8080300W | - - - | | 4667 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | MOC808 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8080300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3,5 µs, 25 µs | 1V | |||||||||||||||
 | 4n30SM | 1.4000 | | 992 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n30 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1V | |||||||||||||||
| Fodm121ar1v | - - - | | 1087 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | FOD817300 | 0,5700 | | 713 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FOD817300-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||
 | HMA121BR2V | - - - | | 8265 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| Cnx48us | - - - | | 8000 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNX48 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Cnx48us-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 350% @ 500 ähm | - - - | 3,5 µs, 36 µs | 1V | |||||||||||||||
| 4n37tm | - - - | | 7651 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N37TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | FODM217BR2 | 0,6600 | | 5097 | 0.00000000 | Onsemi | FODM217 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11B3W | - - - | | 7113 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B3W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
 | FODM453R2 | 2.4700 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | FODM453 | DC | 1 | Transistor | 5-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,6 v | 25 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 400 ns, 350 ns | - - - | |||||||||||||||
| H11D1 | - - - | | 7163 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC3009 | - - - | | 4766 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC300 | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3009QT | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5300 VRMs | 250 V | 100 µA | NEIN | 30 ma | |||||||||||||||||||||
 | FODM352R2 | 1.2500 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | FODM352 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM352 | DC | 1 | Darlington | 4-mfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 20 µs, 100 µs | 300 V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | - - - | 1,2 v | |||||||||||||||
| FODM3011_NF098 | - - - | | 2642 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | cur, ur | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | HMHA2801AV | 0,2194 | | 7155 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA2801 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
 | H11b815s | - - - | | 7735 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11b | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B815S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 Ma | 300 µs, 250 µs (max) | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | |||||||||||||||
| 4N39W | - - - | | 2236 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n39 | Ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N39W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs | 30 ma | 50 µs (max) | |||||||||||||||
| H11A53s | - - - | | 8759 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A53S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 30% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11AA4VM | 0,8900 | | 990 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11AA | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| MOC3052SR2M_F132 | - - - | | 5284 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - |
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