SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
4N30SM onsemi 4n30SM 1.4000
RFQ
ECAD 992 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel 4n30 DC 1 Darlington MIT Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma - - - 30V 1,2 v 80 Ma 4170 VRMs 100% @ 10ma - - - 5 µs, 40 µs (max) 1V
FODM121AR1V onsemi Fodm121ar1v - - -
RFQ
ECAD 1087 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM12 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 400mV
FOD817300 onsemi FOD817300 0,5700
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2832-FOD817300-488 Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 200mv
HMA121BR2V onsemi HMA121BR2V - - -
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA121 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 150% @ 5ma - - - 400mV
CNX48US onsemi Cnx48us - - -
RFQ
ECAD 8000 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNX48 DC 1 Darlington MIT Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Cnx48us-ndr Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,2 v 100 ma 5300 VRMs 350% @ 500 ähm - - - 3,5 µs, 36 µs 1V
4N37TM onsemi 4n37tm - - -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n37 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N37TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 100% @ 10ma - - - 2 µs, 2 µs 300mV
FODM217BR2 onsemi FODM217BR2 0,6600
RFQ
ECAD 5097 0.00000000 Onsemi FODM217 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) FODM217 DC 1 Transistor 4-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,2 v 50 ma 3750 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
H11B3W onsemi H11B3W - - -
RFQ
ECAD 7113 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) H11b DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11B3W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 25 v 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 100% @ 1ma - - - 25 µs, 18 µs 1V
FODM453R2 onsemi FODM453R2 2.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads FODM453 DC 1 Transistor 5-mini-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 8ma - - - 20V 1,6 v 25 ma 3750 VRMs 20% @ 16 ma 50% @ 16 ma 400 ns, 350 ns - - -
H11D1 onsemi H11D1 - - -
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11d DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 100 ma - - - 300 V 1,15 V 80 Ma 5300 VRMs 20% @ 10 mA - - - 5 µs, 5 µs 400mV
MOC3009 onsemi MOC3009 - - -
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC300 1 Triac 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3009QT Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 5300 VRMs 250 V 100 µA NEIN 30 ma
FODM3011_NF098 onsemi FODM3011_NF098 - - -
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 cur, ur 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 250 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
HMHA2801AV onsemi HMHA2801AV 0,2194
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) HMHA2801 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 80% @ 5ma 160% @ 5ma - - - 300mV
H11B815S onsemi H11b815s - - -
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel H11b DC 1 Darlington 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11B815S-NDR Ear99 8541.49.8000 2.000 80 Ma 300 µs, 250 µs (max) 35 V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - - - 1V
4N39W onsemi 4N39W - - -
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n39 Ur 1 Scr 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4N39W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1.1V 60 mA 5300 VRMs 200 v 300 ma 1ma NEIN 500 V/µs 30 ma 50 µs (max)
H11A53S onsemi H11A53s - - -
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11A53S-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 100 ma 5300 VRMs 30% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
H11AA4VM onsemi H11AA4VM 0,8900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11AA AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 30V 1.17V 60 mA 4170 VRMs 100% @ 10ma - - - - - - 400mV
MOC3052SR2M_F132 onsemi MOC3052SR2M_F132 - - -
RFQ
ECAD 5284 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc305 Ur 1 Triac 6-smd - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 600 V 220 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 10 ma - - -
MOC3051FVM onsemi MOC3051FVM - - -
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc305 UR, VDE 1 Triac 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MOC3051FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500vpk 600 V 280 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 15 Ma - - -
CNX38US onsemi Cnx38us - - -
RFQ
ECAD 1756 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNX38 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Cnx38us-ndr Ear99 8541.49.8000 1.000 100 ma - - - 80V 1,15 V 100 ma 5300 VRMs 70% @ 10 mA 210% @ 10 mA 20 µs, 20 µs 400mV
H11N23S onsemi H11n23s - - -
RFQ
ECAD 2503 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11n DC 1 Offener Sammler - - - 6-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 5MHz - - - 1,4 v 5ma 7500 VRMs 1/0 - - - 330ns, 330ns
SL5504300 onsemi SL5504300 - - -
RFQ
ECAD 3398 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) SL5504 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SL5504300-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 100 ma - - - 80V 1,23V 100 ma 5300 VRMs 25% @ 10ma 400% @ 10 mA 50 µs, 150 µs (max) 400mV
CNY17F1300 onsemi CNY17F1300 - - -
RFQ
ECAD 7029 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY17F1300-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 100 ma 5300 VRMs 40% @ 10 mA 80% @ 10ma 2 µs, 3 µs 300mV
MOC211R1VM onsemi MOC211R1VM - - -
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOC211 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 150 Ma 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRMs 20% @ 10 mA - - - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
CNW135 onsemi CNW135 - - -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) CNW13 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 40 10 ma - - - 20V - - - 100 ma 5000 VRMs 7% @ 16 ma - - - - - - - - -
H11AA43SD onsemi H11AA43SD - - -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen H11AA43SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,2 v 100 ma 5300 VRMs 100% @ 10ma - - - - - - 400mV
FOD617BS onsemi Fod617bs - - -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FOD617 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,35 v 50 ma 5000 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA - - - 400mV
MOCD211R2VM onsemi MOCD211R2VM - - -
RFQ
ECAD 4740 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOCD21 DC 2 Transistor 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,25 V. 60 mA 2500 VRMs 20% @ 10 mA - - - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD2742BV onsemi FOD2742BV 1.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FOD2742 DC 1 Transistor 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma - - - 70V 1,2 v 2500 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma - - - 400mV
FODM3022R1_NF098 onsemi FODM3022R1_NF098 - - -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 cur, ur 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus