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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMA121CR2 | - - - | ![]() | 9764 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | HMA121R4 | - - - | ![]() | 5742 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | TIL111FR2VM | - - - | ![]() | 4073 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | TIL111 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIL111FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2ma | 10 µs, 10 µs (max) | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | - - - | - - - | - - - | 400mV | |||||||
![]() | MOC217R1VM | - - - | ![]() | 6941 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC217 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||
FODM121BR2 | 0,5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | MOCD211R2VM | - - - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD21 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||
![]() | HMA121FR3 | - - - | ![]() | 7086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
Fodm8801b | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | OptoHit ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM8801 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Fodm8801bfs | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 5 µs, 5,5 µs | 75 V | 1,35 v | 20 ma | 3750 VRMs | 130% @ 1ma | 260% @ 1ma | 6 µs, 6 µs | 400mV | |||||||
![]() | HCPL2630 | 2.4600 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL26 | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||
![]() | HCPL2503WV | - - - | ![]() | 1813 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | HCPL25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 12% @ 16 ma | - - - | 450ns, 300 ns | - - - | ||||||||
![]() | H11G3300W | - - - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11G3300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | 5 µs, 100 µs | 1,2 v | |||||||
![]() | HMA121DV | - - - | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 100% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | MOC212R1VM | - - - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||
![]() | FOD617C300W | - - - | ![]() | 9075 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | CNY17F1SR2VM | 0,7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17F1 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 v | 60 mA | 4170 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||
MCT5211m | 1.5200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5211 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 4170 VRMs | 150% @ 1,6 mA | - - - | 14 µs, 2,5 µs | 400mV | ||||||||
H11l1m_f132 | - - - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11l | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | |||||||||
![]() | FOD617C300 | - - - | ![]() | 4536 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | MOC8113300W | - - - | ![]() | 8559 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc811 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8113300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,15 V | 90 Ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||
![]() | MOCD217R1VM | - - - | ![]() | 2552 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD21 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,05 v | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||
![]() | TIL117TVM | - - - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Til117 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIL117TVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | 10 µs, 10 µs (max) | 400mV | |||||||
![]() | HCPL2630SDVM | 0,9596 | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2630 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||
![]() | MOC208R2VM | - - - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Moc208 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 40% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||
![]() | FODM121CV | - - - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
FOD8143SD | 0,7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | ||||||||
![]() | HMA121BR4V | - - - | ![]() | 1815 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
FODM121CR2V | 0,7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | 74ol6010w | - - - | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic ™ | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 74ol601 | Logik | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 15 V | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 ma | 15mb | 50ns, 5ns | - - - | - - - | 5300 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 180ns, 120ns | ||||||||
![]() | Fodm121ar1 | - - - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||
![]() | HCPL2503 | - - - | ![]() | 1937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 12% @ 16 ma | - - - | 450ns, 300 ns | - - - |
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