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Optoisolatoren (3111)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11AA1M | 0,8300 |  | 41 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11AA | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17v | 60 mA | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||
 | 4N383SD | - - - | | 7628 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n38 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N383SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 80V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 1V | ||||||||||||||
 | HCPL0601R2V | 3.4200 | | 21 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL0601 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,75 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
 | H11l3fvm | - - - | | 7595 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11l | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | |||||||||||||||
| 4n30300 | - - - | | 2834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n30 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n30300-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1V | ||||||||||||||
| MOC3020FR2VM | - - - | | 6354 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3020FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 30 ma | - - - | |||||||||||||||
| SL55113s | - - - | | 8105 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SL5511 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SL55113S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 25% @ 2MA | - - - | 20 µs, 50 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||
 | MCT4R | - - - | | 9873 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | MCT4 | DC | 1 | Transistor | To-18 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 10 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 40 ma | 1000vdc | 15% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv | ||||||||||||||||
 | FOD2711TV | - - - | | 5409 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-mdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | FODM217BR2 | 0,6600 | | 5097 | 0.00000000 | Onsemi | FODM217 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
| MOC3081FR2M | - - - | | 7693 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc308 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3081FR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 800 V | 500 µA (Typ) | Ja | - - - | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||
| FOD070L | - - - | | 3924 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD070 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 60 mA | - - - | 7v | 1,35 V. | 20 ma | 2500 VRMs | 400% @ 500 ähm | 7000% @ 500 ähm | 3 µs, 50 µs | - - - | |||||||||||||||
| 4n37s | - - - | | 4056 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | |||||||||||||||
| MOC3051SM | 1.1900 | | 1521 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | |||||||||||||||
| MOC3042FVM | - - - | | 7862 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc304 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3042FVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | - - - | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
| H11AG3300 | - - - | | 4896 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AG3300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||
| HCPL4503TSVM | 3.2600 | | 4036 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL4503 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | ||||||||||||||
| H11A2FVM | - - - | | 6382 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
| MCT5210300 | - - - | | 9298 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT5210300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 70% @ 3ma | - - - | 10 µs, 400 ns | 400mV | ||||||||||||||
 | HMA121BV | - - - | | 9532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL2531SDM | 1.9800 | | 8298 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | ||||||||||||||
 | 6N137 | - - - | | 9361 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N137 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| MOC215R1VM | - - - | | 4954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC215 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 4 µs, 4 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | SL5511W | - - - | | 8918 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | SL5511 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SL5511W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 25% @ 2MA | - - - | 20 µs, 50 µs (max) | 400mV | ||||||||||||||
| H11A2SR2VM | - - - | | 2767 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD420s | 4.2400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD420 | Cul, Fimko, ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 600 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 2ma | 60 µs | |||||||||||||||
| HMA121E | - - - | | 6969 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| CNY174300 | - - - | | 5715 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY174 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| H11D1TM | - - - | | 3078 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||
| HCPL2531SM | 1.2320 | | 5775 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-HCPL2531SM-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - |
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