SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
4N32TVM onsemi 4N32TVM 1.0500
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 4n32 DC 1 Darlington MIT Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 150 Ma - - - 30V 1,2 v 80 Ma 4170 VRMs 500% @ 10 mA - - - 5 µs, 100 µs (max) 1V
H11A3SM onsemi H11A3SM - - -
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 7500vpk 20% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
HMHA2801BR1 onsemi HMHA2801BR1 - - -
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) HMHA28 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma - - - 300mV
FOD8163TR2V onsemi FOD8163TR2V 3.0400
RFQ
ECAD 4510 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) FOD8163 DC 1 Open Collector, Schottky Klemmte 3 V ~ 5,5 V. 6-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 10 mbit / s 20ns, 10ns 1,45 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 90ns, 80ns
HMHA2801BR4 onsemi HMHA2801BR4 - - -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) HMHA28 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma - - - 300mV
FODM121ER2 onsemi FODM121ER2 - - -
RFQ
ECAD 4927 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM12 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
FODM121V onsemi FODM121V 0,9200
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM121 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2832-FODM121V Ear99 8541.49.8000 3.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
CNY17F2VM onsemi CNY17F2VM 0,3095
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17F2 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
FODM2705R1 onsemi FODM2705R1 - - -
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,4 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
MOC8204 onsemi MOC8204 - - -
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC820 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 2ma - - - 400V 1,2 v 60 mA 5300 VRMs 20% @ 10 mA - - - 5 µs, 5 µs 400mV
FOD8012AR2 onsemi FOD8012AR2 7.0500
RFQ
ECAD 1893 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FOD8012 Logik 2 Push-Pull, Totem Pole 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 10 ma 15 mbit / s 6,5 ns, 6,5 ns - - - - - - 3750 VRMs 1/1 20 kV/µs 60ns, 60 ns
FOD817A onsemi Fod817a 0,5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 80% @ 5ma 160% @ 5ma - - - 200mv
MOC3052TVM_F132 onsemi MOC3052TVM_F132 - - -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) Moc305 UR, VDE 1 Triac 6-DIP - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 600 V 220 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 10 ma - - -
HMAA2705R2V onsemi HMAA2705R2V - - -
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
H11AA3SM onsemi H11AA3SM - - -
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 30V 1.17V 60 mA 7500vpk 50% @ 10 mA - - - - - - 400mV
FOD617B3S onsemi FOD617B3S - - -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FOD617 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,35 v 50 ma 5000 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA - - - 400mV
H11A5FR2VM onsemi H11A5FR2VM - - -
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11a DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 7500vpk 30% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
HMHA2801CR4V onsemi HMHA2801CR4V - - -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) HMHA28 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma - - - 300mV
CNY17F2TM onsemi CNY17F2TM - - -
RFQ
ECAD 1903 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 v 60 mA 4170 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
H11D1SR2VM onsemi H11D1SR2VM 1.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11D1 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 100 ma - - - 300 V 1,15 V 80 Ma 4170 VRMs 20% @ 10 mA - - - 5 µs, 5 µs 400mV
FODM3022R1 onsemi FODM3022R1 - - -
RFQ
ECAD 1166 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 1,2 v 60 mA 3750 VRMs 400 V 70 Ma 300 µA (Typ) NEIN 10 V/µs (Typ) 10 ma - - -
H11F1SR2M onsemi H11F1SR2M 5.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel H11f1 DC 1 Mosfet 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - - - - 30V 1,3 v 60 mA 7500vpk - - - - - - 45 µs, 45 µs (max) - - -
H11AA2VM onsemi H11AA2VM - - -
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11a AC, DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma - - - 30V 1.17V 60 mA 7500vpk 10% @ 10 mA - - - - - - 400mV
FODM8801AR2 onsemi Fodm8801ar2 1.8600
RFQ
ECAD 1955 0.00000000 Onsemi OptoHit ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) FODM8801 DC 1 Transistor 4-mini-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.500 30 ma 5 µs, 5,5 µs 75 V 1,35 v 20 ma 3750 VRMs 80% @ 1ma 160% @ 1ma 6 µs, 6 µs 400mV
FODM2705 onsemi FODM2705 0,7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel FODM27 AC, DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 100 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,4 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
CNY172FR2VM onsemi CNY172FR2VM - - -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CNY172 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CNY172FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 1 µs, 2 µs 70V 1,35 v 60 mA 7500vpk 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 2 µs, 3 µs 400mV
FOD4116 onsemi FOD4116 5.4400
RFQ
ECAD 979 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD411 CSA, UL 1 Triac 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2832-FOD4116 Ear99 8541.49.8000 50 1,25 V. 30 ma 5000 VRMs 600 V 500 ähm Ja 10kV/µs 1,3 ma 60 µs
HMA2701V onsemi HMA2701V - - -
RFQ
ECAD 8668 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HMA270 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 3.000 80 Ma 3 µs, 3 µs 40V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 300% @ 5ma - - - 300mV
MOC3073SM onsemi MOC3073SM 1.7800
RFQ
ECAD 496 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel Moc307 Ul 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 800 V 540 UA (Typ) NEIN 1kV/µs 6ma - - -
H11A617C300 onsemi H11A617C300 - - -
RFQ
ECAD 3829 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11a DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,35 v 50 ma 5300 VRMs 100% @ 10ma 200% @ 10ma - - - 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus