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Optoisolatoren (3111)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM217AV | 0,9900 |  | 830 | 0.00000000 | Onsemi | FODM217 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Fodm217avos | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
 | MCT2300 | - - - | | 1501 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT2300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 1,1 µs, 50 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | 4N33300W | - - - | | 5772 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n33 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N33300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 5300 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | |||||||||||||||
 | FODM3053R2V-NF098 | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | cur, ur, vde | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | H11F2SD | - - - | | 8892 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11f | DC | 1 | Mosfet | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11F2SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | 25 µs, 25 µs (max) | - - - | |||||||||||||||
| 74ol6011s | - - - | | 6133 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic ™ | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 74ol601 | Logik | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 15 V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 ma | 15mb | 50ns, 5ns | - - - | - - - | 5300 VRMs | 1/0 | 5kV/µs | 180ns, 120ns | ||||||||||||||||
| H11AG3S | - - - | | 1052 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AG3S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||
| H11C2300W | - - - | | 7893 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11c | UR, VDE | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11C2300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 200 v | 300 ma | - - - | NEIN | 500 V/µs | 20 ma | - - - | |||||||||||||||
| 4n27vm | - - - | | 5973 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n27 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n27vm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | HMA121AR4V | - - - | | 8766 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | MOCD217R2M | 1.1500 | | 148 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOCD217 | DC | 2 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,05 v | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
| 4n253s | - - - | | 2126 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N253S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
| H11A5300W | - - - | | 5400 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A5300W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 30% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
| 4N25SR2m | 0,7400 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
| MOC213VM | 0,7800 | | 9672 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC213 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD815300 | - - - | | 6473 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD815 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 Ma | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | ||||||||||||||||
| MOC81063SR2 | - - - | | 3783 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | 150% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11D1S | - - - | | 2453 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11d | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 300 V | 1,15 V | 80 Ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11g46 | - - - | | 5521 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11g | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 55 v | - - - | 60 mA | 3750 VRMs | 350% @ 500 ähm | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
| FODM3053 | - - - | | 2954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
 | Fod2743bsv | 2.2300 | | 7083 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2743 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1.07V | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 100% @ 1ma | - - - | 400mV |
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