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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | MCT5200SD | - - - | ![]() | 6538 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT5200SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 1,3 µs, 16 µs | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 75% @ 10 mA | - - - | 1,6 µs, 18 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | MOC3022FVM | - - - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc302 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3022FVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 400 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | Fod2743bsv | 2.2300 | ![]() | 7083 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2743 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1.07V | 5000 VRMs | 50% @ 1ma | 100% @ 1ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F33S | - - - | ![]() | 2381 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CNY17F33S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | H11AA4SD | - - - | ![]() | 4892 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA4SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
![]() | H11AA3TM | - - - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | 6N138 | - - - | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 7v | 1,3 v | 20 ma | 2500 VRMs | 300% @ 1,6 mA | - - - | 1,5 µs, 7 µs | - - - | ||||||||||||||||
![]() | HCPL2631SV | - - - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2631 | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
H11AA3VM | - - - | ![]() | 5507 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1.17V | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | 6N137SDM | 2.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 6N137 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 30ns, 10ns | 1,45 v | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
MOC3022 | - - - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc302 | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3022QT | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5300 VRMs | 400 V | 100 µA | NEIN | 10 ma | ||||||||||||||||||||||
HMHA2801R1V | - - - | ![]() | 5920 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||||
![]() | FODM1007R2 | 0,7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM1007 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5,7 µs, 8,5 µs | 70V | 1,4 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | H11A817BSD | - - - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11A817BSD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | H11B1SD | - - - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B1SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
![]() | HCPL2531V | 1.9300 | ![]() | 387 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 450ns, 300 ns | - - - | |||||||||||||||
![]() | H11AV2SR2M | - - - | ![]() | 2060 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AV2SR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 50% @ 10 mA | - - - | 15 µs, 15 µs | 400mV | |||||||||||||||
4n36vm | - - - | ![]() | 3370 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n36 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n36vm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | FOD2712R1V | - - - | ![]() | 6810 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | FOD2711Asv | 1.6800 | ![]() | 9179 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2711 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FOD2711asv-488 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||
![]() | H11AA814300 | - - - | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA814300-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | MOC8100FR2VM | - - - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8100FR2VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | 30% @ 1ma | - - - | 20 µs, 20 µs (max) | 500mv | |||||||||||||||
![]() | 4n37 | - - - | ![]() | 3154 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 2 µs, 2 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | MOC223VM | - - - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC223 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 8µs, 110 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 10 µs, 125 µs | 1V | ||||||||||||||||
![]() | MCT22023s | - - - | ![]() | 1402 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MCT22023S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | MOC3051TM | - - - | ![]() | 6841 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc305 | Ur | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3051TM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 220 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | SL5501SD | - - - | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SL5501 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SL5501SD-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 30V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 25% @ 10ma | 400% @ 10 mA | 20 µs, 50 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||
![]() | FODM3011R2 | - - - | ![]() | 1812 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | H11A617A3S | - - - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | HMA2701BR1V | - - - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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